[发明专利]具有L形浮栅的NOR存储器单元

说明书

电可擦可编程非易失性存储器单元包括：半导体衬底，其具有第一衬底区域以及在横向方向上与第一衬底区域分开的第二衬底区域；沟道区域，其位于第一衬底区域和第二衬底区域之间；导电控制栅，其与沟道区域的第一沟道部分绝缘并设置在该第一沟道部分之上；导电浮栅，其与沟道区域的第二沟道部分绝缘并设置在沟道区域的第二沟道部分之上；导电源极线，其电连接至第二衬底区域；以及导电擦除栅，其与浮栅的末端绝缘并设置在浮栅的末端之上。

技术领域

本申请总体涉及半导体存储器装置，包括但不限于具有L形浮栅的电可编程且可擦除非易失性存储器单元，有时称为NOR存储器单元。

背景技术

一直需要缩小电可编程且可擦除非易失性存储器单元的尺寸。然而，随着存储器单元尺寸的缩小，尺寸大小的变化导致存储器单元元件之间的电容耦合以及各种关键区域的宽度的变化，所有这些变化均可能对存储器单元的操作裕度产生负面影响，除非对存储器单元的结构进行了重大的设计变化。此外，随着浮栅尺寸的减小，擦除的浮栅存储正电荷的容量降低，除非进行设计更改以进行补偿，否则这导致更低的信噪比(SNR)以及更高的错误率。

发明内容

根据一些实施例，电可擦除可编程非易失性存储器单元，有时被称为NOR存储器单元，包括衬底，该衬底具有漏极区域、源极区域以及位于漏极区域和源极区域之间的沟道区域。该存储器单元还包括导电控制栅，其通过控制栅绝缘区域与第一沟道子区域分开。该存储器单元还包括导电L形浮栅，该导电L形浮栅包括通过浮栅绝缘区域与第二沟道子区域分开的第一，水平第一部分以及电连接至该第一部分的第二，竖直部分。第二浮栅部分从第一浮栅部分远离衬底竖直延伸并且强电容耦合到从源极区域竖直延伸的源极线。该存储器单元还包括导电擦除栅，其设置在浮栅的第二部分之上(over)并通过擦除栅绝缘区域与浮栅的第二部分分开。

附图说明

为了更好地理解各种所描述的实施例，应结合以下附图参考以下实施例的描述，其中，在整个附图中，相同的附图标记指代对应的部分。

图1A是示出根据一些实施例的一对电可擦除可编程非易失性存储器单元的横截面视图的图。

图1B是示出根据一些实施例的L形浮栅的图。

图2是示出根据一些实施例的电可擦除可编程非易失性存储器单元中的操作流程的流程图。

图3是示出根据一些实施例的电可擦除可编程非易失性存储器单元的编程操作的图。

图4是示出根据一些实施例的存储器单元阵列的平面视图的图。

图5A-M示出了根据一些实施例的用于制造电可擦除可编程非易失性存储器单元阵列的过程。

具体实施方式

现在将详细参考在附图中示出其示例的实施例。在下面的详细描述中，阐述了许多具体细节以便提供对各种描述的实施例的透彻理解。然而，对于本领域的普通技术人员显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下实践各种描述的实施例。在其他情况下，没有详细描述公知的方法、过程、部件、电路以及网络以免不必要地使实施例的各方面模糊。

还应理解，尽管在本文中在某些情况下使用了术语第一、第二等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于使元件相互区分。例如，在不脱离各种描述的实施例的范围的情况下，第一接触件可以被称为第二接触件，并且类似地，第二接触件可以被称为第一接触件。第一接触件和第二接触件均是接触件，但是它们并非同一接触件，除非上下文另有明确说明。