[发明专利]半导体装置、存储装置及电子设备

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

设置有第一布线及第一晶体管的第一电路；以及

设置有第二晶体管的第二电路，

其中，所述第二电路层叠在所述第一电路上，

所述第一晶体管和所述第二晶体管与所述第一布线电连接，

并且，所述第二电路没有设置所述第一布线的引绕部。

2.一种半导体装置，包括：

第一电路；以及

第二电路，

其中，所述第一电路包括：

第一晶体管；以及

与所述第一晶体管电连接的第一布线，

所述第二电路包括：

导电体；以及

通过所述导电体与所述第一布线电连接的第二晶体管，

并且，所述导电体具有与所述第二晶体管的半导体层的底面接触的部分。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第二晶体管的半导体层包含金属氧化物。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管的半导体层包含金属氧化物。

5.一种存储装置，包括：

位线；

与所述位线电连接的读出放大器；以及

层叠在所述读出放大器上的存储单元阵列，

其中，所述存储单元阵列包括与所述位线电连接的存储单元，

所述存储单元包括与所述位线电连接的写入晶体管以及与所述写入晶体管电连接的电容器，

并且，所述存储单元阵列内没有所述位线的引绕部分。

6.根据权利要求5所述的存储装置，其中所述写入晶体管的半导体层包含金属氧化物。

7.一种存储装置，包括：

读出放大器区块；以及

层叠在所述读出放大器区块上的存储单元阵列，

其中，所述读出放大器区块包括：

位线；以及

与所述位线电连接的读出放大器，

所述存储单元阵列包括导电体和存储单元，

所述存储单元包括：

通过所述导电体与所述位线电连接的写入晶体管；以及

与所述写入晶体管电连接的电容器，

并且，所述导电体具有与所述写入晶体管的半导体层的底面接触的部分。

8.根据权利要求7所述的存储装置，其中所述写入晶体管的所述半导体层包含金属氧化物。

9.一种安装有权利要求5至8中任一项所述的存储装置的电子设备。