[发明专利]用于形成竖向延伸的晶体管的阵列的方法

说明书

一种用于形成竖向延伸的晶体管的阵列的方法包括形成绝缘材料和空隙空间的竖直交替的层。此类方法包含形成(a)竖向地延伸穿过所述绝缘材料层的个体纵向对准的沟道开口，以及(b)竖向地延伸穿过所述绝缘材料层的水平延长的沟槽。所述空隙空间层填充有导电材料，方法是使所述导电材料或其一或多个前体流动穿过(a)和(b)中的至少一个进入到所述空隙空间层中。在所述填充之后，晶体管沟道材料沿着所述绝缘材料层并且在所述填充的空隙空间层中沿着所述导电材料形成在所述个体沟道开口中。

技术领域

本文中所公开的实施例涉及形成竖向延伸的晶体管的阵列的方法。

背景技术

存储器是一种类型的集成电路且用于计算机系统中以用于存储数据。存储器可被制造在个体存储器单元的一或多个阵列中。可使用数字线(其也可被称作位线、数据线或感测线)和存取线(其也可被称作字线)对存储器单元进行写入或从存储器单元进行读取。感测线可使存储器单元沿着阵列的列以导电方式互连，且存取线可使存储器单元沿着阵列的行以导电方式互连。每个存储器单元可通过感测线与存取线的组合唯一地寻址。

存储器单元可以是易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在不通电的情况下将数据存储很长一段时间。非易失性存储器通常被指定为具有至少约10年保留时间的存储器。易失性存储器是耗散的，并且因此经刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更短的保留时间。无论如何，存储器单元经配置以至少两个不同可选状态保留或存储存储器。在二进制系统中，所述状态被视作“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个体存储器单元可经配置以存储两个以上水平或状态的信息。

场效应晶体管是一种类型的可用于存储器单元中的电子组件。这些晶体管包括一对导电源极/漏极区，所述一对导电源极/漏极区在其间具有半导电沟道区。导电栅极邻近于沟道区且通过薄的栅极绝缘体与沟道区分离。向栅极施加合适的电压允许电流通过沟道区从源极/漏极区中的一个区流动到另一个区。当从栅极移除电压时，很大程度上防止了电流流动通过沟道区。场效应晶体管还可包含额外结构，例如，作为栅极绝缘体与导电栅极之间的栅极构造的部分的可逆地可编程的电荷存储区。

快闪存储器是一种类型的存储器，且大量用于现代计算机和装置中。举例来说，现代个人计算机可将BIOS存储在快闪存储器芯片上。作为另一实例，越来越常见的是，计算机和其它装置利用固态驱动器中的快闪存储器来替代常规的硬盘驱动器。作为又一实例，快闪存储器在无线电子装置中普及，这是因为快闪存储器使得制造商能够在新的通信协议变得标准化时支持所述新的通信协议，且使得制造商能够提供针对增强特征远程升级装置的能力。

NAND可以是集成式快闪存储器的基本架构。NAND单元单位包括与存储器单元的串联组合进行串联耦合的至少一个选择装置(所述串联组合通常被称作NAND串)。NAND架构可按三维布置配置，其包括竖直堆叠的存储器单元，所述竖直堆叠的存储器单元单独地包括可逆地可编程的竖直晶体管。

竖直晶体管可形成在未必构成存储器单元的阵列中。

附图说明

图1是在根据本发明的实施例的过程中的衬底构造的图解截面视图，并且是穿过图2中的线1-1截取的。

图2是穿过图1中的线2-2截取的图解截面视图。

图3是在通过图1所示的步骤之后的处理步骤处的图1构造的视图，并且是穿过图4中的线3-3截取的。

图4是穿过图3中的线4-4截取的视图。

图5是在通过图3所示的步骤之后的处理步骤处的图3构造的视图。

图6是在通过图5所示的步骤之后的处理步骤处的图5构造的视图。

图7是在通过图6所示的步骤之后的处理步骤处的图6构造的视图。

图8是在通过图7所示的步骤之后的处理步骤处的图7构造的视图，并且是穿过图9中的线8-8截取的。