[发明专利]用于形成竖向延伸的晶体管的阵列的方法

权利要求书

1.一种用于形成竖向延伸的晶体管的阵列的方法，其包括：

形成绝缘材料以及空隙空间的竖直交替的层；

形成(a)竖向地延伸穿过所述绝缘材料层的个体纵向对准的沟道开口，以及(b)竖向地延伸穿过所述绝缘材料层的水平延长的沟槽；

用导电材料填充所述空隙空间层，方法是使所述导电材料或其一或多个前体流动穿过(a)以及(b)中的至少一个进入到所述空隙空间层中；以及

在所述填充之后，沿着所述绝缘材料层并且在所述填充的空隙空间层中沿着所述导电材料在所述个体沟道开口中形成晶体管沟道材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述流动穿过(a)：竖向地延伸穿过所述绝缘材料层的所述个体纵向对准的沟道开口。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述流动穿过(b)：竖向地延伸穿过所述绝缘材料层的所述水平延长的沟槽。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述流动穿过(a)：竖向地延伸穿过所述绝缘材料层的所述个体纵向对准的沟道开口，并且所述流动穿过(b)：竖向地延伸穿过所述绝缘材料层的所述水平延长的沟槽。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述流动仅穿过(a)：竖向地延伸穿过所述绝缘材料层的所述个体纵向对准的沟道开口，并且所述流动并不穿过(b)：竖向地延伸穿过所述绝缘材料层的所述水平延长的沟槽。

6.根据权利要求5所述的方法，其包括形成(b)：竖向地延伸穿过所述绝缘材料层的所述水平延长的沟槽以及在所述流动穿过(a)之前在所述沟槽内形成固体材料两者。

7.根据权利要求5所述的方法，其包括形成(b)：竖向地延伸穿过所述绝缘材料层的所述水平延长的沟槽以及在所述流动穿过(a)之后在所述沟槽内形成固体材料两者。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述流动仅穿过(b)：竖向地延伸穿过所述绝缘材料层的所述水平延长的沟槽，并且所述流动并不穿过(a)：竖向地延伸穿过所述绝缘材料层的所述个体纵向对准的沟道开口。

9.根据权利要求8所述的方法，其包括形成(a)：竖向地延伸穿过所述绝缘材料层的所述个体纵向对准的沟道开口以及在所述流动穿过(b)之后在所述沟道开口内形成固体材料两者。

10.根据权利要求8所述的方法，其包括形成(a)：竖向地延伸穿过所述绝缘材料层的所述个体纵向对准的沟道开口以及在所述流动穿过(b)之前在所述沟道开口内形成固体材料两者。

11.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述沟槽中形成所述晶体管沟道材料，同时在所述个体沟道开口中形成所述晶体管沟道材料并且其保持在所述阵列的完成的构造中的所述沟槽中。

12.根据权利要求1所述的方法，其包括：

在形成所述空隙空间层之前穿过所述绝缘材料层形成竖向延伸的虚拟结构开口；

在形成所述空隙空间层之前形成所述沟槽；以及

在所述虚拟结构开口中并且在所述沟槽中形成所述晶体管沟道材料，同时在所述个体沟道开口中形成所述晶体管沟道材料并且其保持在所述虚拟结构开口中并且在所述阵列的完成的构造中的所述沟槽中。

13.根据权利要求1所述的方法，其包括：

在形成所述空隙空间层之前穿过所述绝缘材料层形成竖向延伸穿过阵列的通孔开口；以及

在保持在所述阵列的完成的构造中的个体所述穿过阵列的通孔开口中形成电气地操作的穿过阵列的通孔。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述沟槽以及所述沟道开口中的每一个经形成为竖直的或在竖直的10°内。