[发明专利]使用内插板层和导电膏的多层电路板有效
申请号: | 201880055997.7 | 申请日: | 2018-06-28 |
公开(公告)号: | CN111033690B | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 肯尼斯·S·巴尔;康斯坦丁·卡拉瓦克斯 | 申请(专利权)人: | 卡特拉姆有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/48;H01L23/14;H01L51/00;H05K1/09;H05K3/46 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 艾娟;杨明钊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 插板 导电 多层 电路板 | ||
1.一种多层电路板,所述多层电路板由顶部基板以及一个或更多个复合层形成,每个复合层包括内插板层和基板层;
所述顶部基板和每个所述基板层具有到与中间的内插板层相对的基板层的至少一个互连部;
所述内插板层具有被定位在相关联的所述基板层之间的每个所述互连部处的洞,所述洞填充有导电膏;
所述基板层具有在每个所述互连部处的镀覆的通孔或焊盘;
每个所述互连部具有通过熔化所述导电膏形成的固体金属连接部;
所述顶部基板或所述基板层中的至少一个具有表面,所述表面具有在所述表面中形成的通道,所述通道包含在所述表面下方的迹线,所述通道具有在所述表面下方暴露的催化颗粒。
2.根据权利要求1所述的多层电路板,其中,以下中的至少一个是催化层压板:所述顶部基板或所述基板层中的一个基板层,所述催化层压板具有在至少一个表面上使用化学镀工艺形成的迹线。
3.根据权利要求2所述的多层电路板,其中,所述迹线是在通道中形成的,所述通道具有至少具有催化颗粒排除深度的深度。
4.根据权利要求1所述的多层电路板,其中,在非催化层压板上形成所述迹线。
5.根据权利要求1所述的多层电路板,其中,所述内插板层是由下列项中的至少一项形成的:聚酰亚胺、B阶段预浸料、用于柔性或非柔性电介质的环氧树脂或环氧树脂混合物、氰酸酯、聚四氟乙烯PTFE或PTFE混合预浸料或粘合剂、或粘合层,所述粘合层包括粘合剂、聚酰亚胺和粘合剂的连续层。
6.根据权利要求1所述的多层电路板,其中,所述固体金属连接部包含下列项中的至少一项:铜、银、金、钯、镍、铟、铋、锡或铅。
7.根据权利要求1所述的多层电路板,其中,所述固体金属连接部包含导电颗粒的结合剂,所述结合剂包括下列项中的至少一项:酚醛塑料、树脂。
8.根据权利要求1所述的多层电路板,其中,所述固体金属连接部包含导电颗粒的结合剂,所述结合剂包括酚醛环氧树脂。
9.根据权利要求1所述的多层电路板,其中,以下中的至少一个包括在镀覆之后内径在1密耳数量级的通孔:所述顶部基板,或所述复合层的基板层。
10.根据权利要求1所述的多层电路板,其中,所述内插板层中的至少一个内插板具有直径在1密耳数量级的洞。
11.一种多层电路板,包括:
顶部基板,其包括具有形成在表面上的导电迹线的电介质层;
一个或更多个复合层,每个复合层包括:
内插板层,其具有位于至少一个互连部区域处的至少一个洞,所述洞填充有金属膏;
基板层,其由具有在表面上形成的导电迹线的电介质层形成,所述导电迹线具有所述至少一个互连部区域;
所述顶部基板和每个所述基板层具有到与中间的内插板层相对的基板层的至少一个互连部;
所述基板层具有在每个所述互连部处的镀覆的通孔或焊盘;
每个所述互连部包括通过熔化金属膏形成的固体金属连接部,
至少一个基板层具有在通道中并且在所述基板层的表面下方形成的导电迹线,所述通道的内表面具有暴露的催化材料的颗粒,用于镀覆在所述通道中形成的导电迹线。
12.根据权利要求11所述的多层电路板,其中,通过高温层压形成所述熔化的金属膏,所述高温层压将所述内插板层层压到顶部基板或基板层中的至少一个。
13.根据权利要求11所述的多层电路板,其中,所述顶部基板或所述基板层中的至少一个具有由化学镀形成的导电迹线。
14.根据权利要求11所述的多层电路板,其中,所述顶部基板或所述基板层中的至少一个具有在表面层下方的通道中的导电迹线。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卡特拉姆有限责任公司,未经卡特拉姆有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880055997.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造