[发明专利]用于电容性隔离器件的结构和方法在审
申请号: | 201880055331.1 | 申请日: | 2018-07-11 |
公开(公告)号: | CN111052375A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | E·顿切尔;M·米;S·桑卡兰;R·M·穆卢甘;V·古普塔 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L23/538 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 李英 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电容 隔离 器件 结构 方法 | ||
所描述的示例包括封装器件(100),封装器件(100)包括彼此间隔开间隙(110)的第一物体(101)和第二物体(102)。每个物体具有第一表面(101a、102a)和相对的第二表面(101c、102c)。第一表面(101a、102a)包括第一端子(101b、102b)。结构(120)包括嵌入在电介质壳体(130)中的至少两个导体(121),电介质壳体巩固至少两个导体(121)的构造和组织。至少两个导体(121)具有未被电介质壳体(130)嵌入的端部部分。至少两个导体(121)中的至少一个的端部部分电连接到第一物体(101)的第一端子(101b),并且至少两个导体(121)中的至少一个的相对的端部部分电连接到第二物体(102)的相应的第一端子(102b)。至少两个导体(121)电连接第一物体(101)和第二物体(102)。
技术领域
本发明总体涉及半导体器件和工艺,并且更具体地涉及半导体器件的结构和制造方法。
背景技术
将半导体管芯的器件端子连接到基板的两种常用方法为引线键合和倒装芯片焊料附接。在引线键合中,细长的金属引线在一个引线端上具有球形键合,而在相对的引线端具有针脚式键合。在引线键合技术中,使用直径为约18μm至33μm的圆形铜线、金线或铝线。
尽管键合引线金属能够通过与其他金属合金化来变硬,但是在使用中,键合引线在其自重的作用下会下垂,特别是在跨越长的管芯到基板或管芯到管芯的距离的键合引线中。下垂的键合引线又会改变环轮廓,尤其是弯曲和扭结。
此外,在后续处理中,诸如在将管芯封装到塑料包装中而进行的传递模塑操作中,键合引线环有时会在机械压力下侧向偏移。引线偏移改变电气特性,甚至导致相邻键合引线之间短路。模塑操作还能够更改键合引线环轮廓和管芯到引线的距离。因此,期望改进。
发明内容
在描述的示例中,封装器件包括彼此间隔开间隙的第一物体和第二物体,每个物体具有第一表面和相对的第二表面,第一物体和第二物体的第一表面包括第一端子。一种结构包括至少两个导体,所述至少两个导体嵌入在电介质壳体中,电介质壳体巩固至少两个导体的构造和组织,所述至少两个导体的端部部分未被电介质壳体嵌入。至少两个导体中的至少一个的端部部分焊接到第一物体的第一端子,并且至少两个导体中的至少一个的相对的端部部分焊接到第二物体的相应的第一端子,至少两个导体电连接第一物体和第二物体。在另一个所描述的示例中,封装器件是数字隔离器,其中第一半导体管芯用作调制器,第二半导体管芯用作接收器,并且具有嵌入式导体的隔离电容器用作调谐的传输线。
附图说明
图1是示例布置的横截面,该示例布置包括具有嵌入在电介质中的预形成导体的结构。
图2是另一示例布置的横截面,该示例布置具有第一集成电路管芯、单独的第一电容器和第二集成电路管芯,其中合并的第二电容器通过嵌入在电介质壳体中的预形成导体互连。
图3是高速隔离器的横截面,该高速隔离器采用嵌入在电介质壳体中的预形成导体的布置来耦合被间隙隔开的隔离的集成电路管芯。
图4是又一布置的横截面,该布置具有包括嵌入在电介质壳体中的预形成导体的结构,其中第一半导体管芯和第二半导体管芯通过倒装芯片技术焊接到导体,并且该结构嵌入在层压结构中。
图5是详细示出焊料附接的横截面,焊料附接用于将嵌入在电介质壳体中的预形成导体附接到带有铜柱的管芯端子。
图6是用于形成包含嵌入在电介质壳体中的预形成导体的结构的示例工艺流程的流程图。
图7是用于通过包含嵌入在电介质壳体中的组织的多个预形成导体的结构连接第一集成电路管芯和第二集成电路管芯的另一示例工艺流程的流程图。
图8是组装在导线框上并采用传输线结构的高速数字隔离器的透视图,该传输线结构具有将调制器管芯和接收器管芯互连的组织的多个预形成导体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的