[发明专利]运算放大器

说明书

一种运算放大器1，包括：形成输入级的晶体管Q1和Q2；以及与伴随晶体管Q1和Q2的寄生电容器C1和C2一起形成滤波器的输入电阻器R1和R2。电阻器R1和R2的电阻值R可以被设置为R＝1/(2π·fc·C)，其中，C是寄生电容器C1和C2中的每一个的电容值，并且fc是滤波器的目标截止频率。运算放大器1还可以包括电源电阻器R0，该电源电阻器R0与伴随电源线的寄生电容器C0一起形成滤波器。

技术领域

本文公开的发明涉及运算放大器。

背景技术

运算放大器通常用于各种领域。

在下面引用的专利文献1中公开了与此相关的传统技术的示例。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开第2011-9800号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，传统使用的运算放大器在其噪声特性方面仍有许多需要改进的地方。特别地，在工业设备和车载设备的领域中，随着电子部件数量的增加和部件密度的增加，对改善运算放大器的噪声特性的需求不断增长。

鉴于本发明的发明人发现的上述问题，本文公开的本发明的目的是提供具有优良噪声特性的运算放大器。

解决课题所采用的手段

本文公开的运算放大器包括形成输入级的晶体管和与所述晶体管的寄生电容器一起形成滤波器的输入电阻器(第一配置)。

优选地，在具有第一配置的所述运算放大器中，基于所述寄生电容器的电容值C和所述滤波器的目标截止频率fc来设置所述输入电阻器的电阻值R，使得R＝1/(2π·fc·C)(第二配置)。

优选地，具有第一或第二配置的所述运算放大器还包括与电源线的寄生电容器一起形成滤波器的电源电阻器(第三配置)。

优选地，本文公开的半导体装置包括具有第一至第三配置中的任何一个的所述运算放大器、用于设置所述运算放大器的参考电流的参考电流设置单元、布置在电源端子与所述运算放大器和所述参考电流设置单元中的每一个之间的电源线、布置在接地端子与所述运算放大器和所述参考电流设置单元中的每一个之间的接地线、以及布置在所述运算放大器和所述参考电流设置单元之间的参考电流设置线(第四配置)。

优选地，具有第四配置的所述半导体装置还包括连接在所述电源线和所述参考电流设置线之间的电容器(第五配置)。

优选地，在具有第五配置的所述半导体装置中，所述电容器是所述电源线和所述参考电流设置线之间的寄生电容器(第六配置)。

优选地，在具有第六配置的所述半导体装置中，在所述半导体装置的平面图中，所述电源线和所述参考电流设置线层叠布置从而彼此部分重叠(第七配置)。

优选地，在具有第七配置的所述半导体装置中，在所述半导体装置的平面图中，所述参考电流设置线的与所述电源线重叠的一部分以网格图案布置(第八配置)。

优选地，在具有第八配置的所述半导体装置的平面图中，在由以所述网格图案布置的所述参考电流设置线包围的区域中，形成作为所述运算放大器的参考电流源发挥作用的晶体管(第九配置)。

优选地，在具有第九配置的所述半导体装置中，所述晶体管由多个单位晶体管构成，并且在所述半导体装置的平面图中，所述多个单位晶体管分别形成在由以所述网格图案布置的所述参考电流设置线包围的多个区域中(第十配置)。

优选地，在具有第八至第十配置中的任何一个的所述半导体装置的平面图中，在由以所述网格图案布置的所述参考电流设置线包围的区域中由所述电源线占据的面积的比例等于或大于1/2(第十一配置)。