[发明专利]运算放大器

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

运算放大器；

参考电流设置单元，其用于设置所述运算放大器的参考电流；

电源线，其布置在电源端子与所述运算放大器和所述参考电流设置单元中的每一个之间；

接地线，其布置在接地端子与所述运算放大器和所述参考电流设置单元中的每一个之间；以及

参考电流设置线，其布置在所述运算放大器与所述参考电流设置单元之间，

所述运算放大器包括：

晶体管，其形成输入级；以及

输入电阻器，其与所述晶体管的寄生电容器一起形成滤波器，

所述半导体装置还包括电容器，该电容器连接在所述电源线和所述参考电流设置线之间，

所述电容器是所述电源线和所述参考电流设置线之间的寄生电容器，

在所述半导体装置的平面图中，所述电源线和所述参考电流设置线层叠布置从而彼此部分重叠，

在所述半导体装置的平面图中，所述参考电流设置线的与所述电源线重叠的一部分以网格图案布置。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，基于所述晶体管的寄生电容器的电容值C和所述滤波器的目标截止频率fc来设置所述输入电阻器的电阻值R，使得R＝1/(2π·fc·C)。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，所述运算放大器还包括与电源线的寄生电容器一起形成滤波器的电源电阻器。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，在所述半导体装置的平面图中，在由以所述网格图案布置的所述参考电流设置线包围的区域中，形成作为所述运算放大器的参考电流源发挥作用的晶体管。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中，

所述晶体管由多个单位晶体管构成，并且

在所述半导体装置的平面图中，所述多个单位晶体管分别形成在由以所述网格图案布置的所述参考电流设置线包围的多个区域中。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，

其中，在所述半导体装置的平面图中，在由以所述网格图案布置的所述参考电流设置线包围的区域中由所述电源线占据的面积的比例等于或大于1/2。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，

其中，

使用第一布线层布置所述参考电流设置线，

使用第二布线层布置所述电源线，

所述电容器形成在所述电源线和所述参考电流设置线彼此重叠的区域中，所述第一布线层和所述第二布线层作为电极，并且在所述电极之间布置绝缘层作为介电体。

8.一种半导体装置，其包括：

运算放大器；

参考电流设置单元，其用于设置所述运算放大器的参考电流；

电源线，其布置在电源端子与所述运算放大器和所述参考电流设置单元中的每一个之间；

接地线，其布置在接地端子与所述运算放大器和所述参考电流设置单元中的每一个之间；以及

参考电流设置线，其布置在所述运算放大器与所述参考电流设置单元之间，

所述运算放大器包括：

晶体管，其形成输入级；以及

输入电阻器，其与所述晶体管的寄生电容器一起形成滤波器，

所述半导体装置还包括插入在所述电源线与另一布线和另一元件中的每一个之间的屏蔽构件。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，

其中，所述屏蔽构件是接地线。

10.根据权利要求1至5、权利要求8以及权利要求9中任一项所述的半导体装置，

其中，所述接地线的宽度和所述参考电流设置线的宽度均比所述电源线的宽度窄。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，

其中，所述接地线的所述宽度和所述参考电流设置线的所述宽度均等于或小于所述电源线的所述宽度的一半。