[发明专利]铜的微蚀刻剂以及配线基板的制造方法

说明书

本发明的微蚀刻剂包含无机酸、铜离子、卤化物离子以及水溶性阳离子聚合物，该水溶性阳离子聚合物在侧链上含有四级铵基，且重量平均分子量为1000以上。微蚀刻剂中的卤化物离子的摩尔浓度为铜离子的摩尔浓度的5倍至100倍。微蚀刻剂的pH优选为2以下。通过使用该微蚀刻剂，即便为低蚀刻量，也可于铜表面形成与树脂等的密接性优异的粗化形状。

技术领域

本发明是关于一种铜的微蚀刻剂以及配线基板的制造方法。

背景技术

制造印刷配线基板时，为了提高铜表面与阻焊剂等树脂材料的密接性，通过微蚀刻剂(粗化剂)将铜表面粗化。作为铜或铜合金的微蚀刻剂，已知有机酸系微蚀刻剂(例如专利文献1)以及无机酸系微蚀刻剂(例如专利文献2)。该等微蚀刻剂包含酸及氧化剂，进而，为了调整粗化形状或蚀刻速度等，而添加有卤素、聚合物、铵盐、胺类、界面活性剂等。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1：WO2014/017115号公报。

专利文献2：WO2007/024312号公报。

发明内容

[发明所要解决的问题]

于利用微蚀刻剂的粗化中，蚀刻量越大，粗化进行越多，因此有与树脂等的密接性提高的倾向。另一方面，若通过微蚀刻剂将铜配线粗化，则有时伴随蚀刻的进行而产生线变细，产生高电阻化或断线等不良情况。伴随配线的窄间距化(微细配线化)，配线的线变细的影响变得显著，因此要求能够以低蚀刻量实现高密接性的微蚀刻剂。

专利文献1的有机酸系微蚀刻剂即便蚀刻量为1μm以下，也可于铜表面形成与阻焊剂等的密接性优异的粗化形状。但是，由于有机酸系微蚀刻剂以高浓度含有有机酸或铵盐等，故而需要专用的排水、废液处理设备，难言之为通用性高。

专利文献2中，记载有通过包含聚乙烯亚胺(polyethyleneimine)的盐酸系微蚀刻剂，可以1.5μm左右的蚀刻量于铜表面形成与阻焊剂等的密接性优异的粗化形状。无机酸系蚀刻剂与有机酸系蚀刻剂相比，具有排水及废液处理容易的优点。但是，为了使用无机酸系蚀刻剂来确保与树脂的密接性，与使用有机酸系蚀刻剂的情形相比，必须增大蚀刻量。

鉴于所述情况，本发明的目的在于提供一种无机酸系微蚀刻剂，即便以低蚀刻量，也能够于铜表面形成与树脂等的密接性优异的粗化形状。

[解决问题的技术手段]

本发明是关于一种铜的微蚀刻剂，用于铜的表面粗化。再者，本说明书中的“铜”包括铜及铜合金。另外，“铜层”也包括铜配线图案层。本发明的微蚀刻剂是包含无机酸、铜离子、卤化物离子以及阳离子性聚合物的无机酸系微蚀刻剂。阳离子性聚合物是在侧链上含有四级铵基且重量平均分子量为1000以上的水溶性聚合物。微蚀刻剂中的卤化物离子的摩尔浓度为铜离子的摩尔浓度的5至100倍。微蚀刻剂的pH优选为2以下。铜离子的重量浓度优选为聚合物的重量浓度的50倍至2000倍。

进而，本发明是关于一种配线基板的制造方法，制造包含铜层的配线基板。配线基板的制造方法具有使所述微蚀刻剂接触于铜表面而进行粗化的步骤(粗化处理步骤)。于粗化处理步骤中，为了将微蚀刻剂的组成保持为既定范围，也可于微蚀刻剂中添加补给液。粗化处理中的蚀刻量例如为1μm以下。再者，所谓“蚀刻量”，是指深度方向的平均蚀刻量(溶解量)，是根据通过微蚀刻剂溶解的铜的重量、比重及铜表面的前面投影面积所算出的值。以下的“蚀刻量”也相同。

[发明的效果]

根据本发明，即便以低蚀刻量，也可于铜表面形成与树脂等的密接性优异的粗化形状。

附图说明

图1是通过调配1的溶液进行过处理的铜表面的扫描式电子显微镜照片。