[发明专利]铜的微蚀刻剂以及配线基板的制造方法在审
| 申请号： | 201880054465.1 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN111051571A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 齐藤知志;福井优 | 申请（专利权）人： | MEC股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;H05K3/38 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李慧慧;向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 以及 配线基板 制造 方法 | ||
1.一种微蚀刻剂，是用于铜的表面粗化的铜的微蚀刻剂，且包含无机酸、铜离子、卤化物离子以及阳离子性聚合物；
其特征在于，所述阳离子性聚合物是在侧链上含有四级铵基且重量平均分子量为1000以上的水溶性聚合物；
卤化物离子的摩尔浓度为铜离子的摩尔浓度的5倍至100倍；
pH为2以下。
2.根据权利要求1所述的微蚀刻剂，其特征在于，铜离子的摩尔浓度为0.001摩尔/L至0.5摩尔/L。
3.根据权利要求1或2所述的微蚀刻剂，其特征在于，卤化物离子的摩尔浓度为0.01摩尔/L至10摩尔/L。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的微蚀刻剂，其特征在于，所述聚合物的重量浓度为0.0005g/L至0.5g/L。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的微蚀刻剂，其特征在于，铜离子的重量浓度为所述聚合物的重量浓度的50倍至2000倍。
6.一种配线基板的制造方法，该方法制造包含铜层的配线基板，且具有粗化处理步骤，所述粗化处理步骤是使根据权利要求1至5中任一项所述的微蚀刻剂接触于铜表面而将铜表面粗化。
7.根据权利要求6所述的配线基板的制造方法，其特征在于，将所述铜表面粗化时的深度方向的平均蚀刻量为1μm以下。
8.根据权利要求6或7所述的配线基板的制造方法，其特征在于，于所述粗化处理步骤中，将补给液添加至所述微蚀刻剂中，所述补给液由包含无机酸、卤化物离子以及聚合物的酸性水溶液构成；
所述补给液中的所述聚合物是在侧链上含有四级铵基且重量平均分子量为1000以上的水溶性聚合物。
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