[发明专利]OLED封装材、其制造方法以及OLED封装方法有效
申请号: | 201880054176.1 | 申请日: | 2018-08-17 |
公开(公告)号: | CN111033786B | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
发明(设计)人: | 张衍 | 申请(专利权)人: | 张衍 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;B32B15/08;B32B9/04;B32B7/12;H01L51/56 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;钟海胜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 封装 制造 方法 以及 | ||
本发明涉及OLED封装材、其制造方法以及使用该OLED封装材的OLED封装方法,该OLED封装材设置成待层压到OLED阵列基板上的膜形式。通过选择具有优异散热性的各种材料作为片状基材并且引入单独的磁性载体构件(其被设置成临时附接到基材的下表面上并且在完成封装工艺后被剥离)以集成为OLED封装材料的一部分,本发明能够照原样利用现有的封装处理设备,并且将具有散热性的基材的选择广度大大扩展到具有优异的散热性但在现有技术中几乎没有使用过的各种材料,如铝、铜或石墨;能够显著改善OLED的散热性;并且能够特别有利地施用于最新的具有高亮度和高像素面积的大面积显示器的封装工艺中。
技术领域
本发明涉及OLED封装材,更具体地涉及设置成待层压到OLED阵列基板上的膜形式的OLED封装材,其制造方法,以及使用该OLED封装材的OLED封装方法。
背景技术
通常,众所周知,有机发光二极管(OLED)以低功率驱动,具有诸如出色的视角、对比度和响应速度等优点,并且与液晶显示装置不同,不需要单独的光源作为自发光元件,因此可以实现轻便薄的显示。OLED操作使得光发射到阵列基板的前表面或后表面上,在该阵列基板上形成有诸如有机发光层、电极层或TFT之类的器件层,并且该器件层在OLED显示器的制造过程中被封装而被保护,以防止湿气或氧气从外部渗透到其中。
作为现有技术的OLED封装方法,已使用了在器件层周围以堤坝形状涂覆玻璃粉、然后填充并固化树脂的方法,在要涂覆在其上的器件层上重复沉积有机-无机复合物层的方法,以及使用在其上层压有聚合物材料和薄玻璃或金属板的膜形式的封装材保护器件层的方法。其中,已知使用薄金属板的封装方法已应用于底发射型OLED显示器,并且具有优异的耐久性,并且容易实现弯曲的显示器。具体而言,使用薄金属板的封装方法由于具有优异的散热性而有利地应用于诸如TV之类的大型显示器。
当前,使用薄金属板的封装工艺通常是通过在真空室中将由封装树脂层形成的封装材对准固定至薄金属板以与其上形成有器件层的阵列基板层压而进行的。在这种情况下,为了在层压工艺中保持对准状态,可以提出通过真空抽吸法进行的封装材固定方法。不管封装材的材料如何,都可以有利地通过真空抽吸法进行固定。然而,该方法需要使用昂贵的复杂设备,并且当通过抽吸孔施加过大的真空时,薄金属板局部变形,从而导致有机发光二极管层破裂。因此,近来主要使用了通过选择铁磁性材料用于薄金属板而使用磁力进行的固定方法。
同时,通过磁力固定薄金属板的方法比真空抽吸法更具优势,因为它可以使用简单的设备以低成本实现,并且不良品少。然而,薄金属板限于用于固定封装材的铁磁材料。此外,为了最小化由于在封装材固化过程中产生的热膨胀而引起的对阵列基板界面的应力,薄金属板的热膨胀系数需要尽可能低,使得材料选择的局限性要比真空抽吸法的局限性大得多。实际领域中使用的薄金属板限于因瓦合金,其为具有铁磁性和低热膨胀系数为约1.5~3×10-6K-1的铁/镍合金。然而,由于这些合金价格昂贵,并且最重要的是热导率低(10W/mk),因此散热性不高,使得无法充分消散由器件层产生的热量,从而缩短了显示面板的寿命。
近来,由于改善了封装材料的特性,因此省略了在100℃或更高的温度下进行的固化工艺,从而可以在25℃的室温下进行封装工艺。因此,减少了选择具有低热膨胀系数的金属材料的必要性,但是考虑到经济实用性,优选使用现有的自固定批量生产设备。因此,正在积极地尝试应用包覆铁氧体和马氏体基不锈钢的复合材料(其为铁磁材料和具有高导热率的铝),或者正在积极开发同时具有铁磁性和高导热率的材料。然而,由于用于自固定的包覆的不锈钢的热导率(~20W/mK)不足,这增加了材料的厚度并且产生了改善散热性的额外成本,因此考虑到OLED显示装置的优势(薄的厚度和经济效率)而难以实际应用该方法。
发明内容
[技术问题]
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择