[发明专利]结构体及其制造方法有效

申请号：	201880052817.X	申请日：	2018-10-05
公开（公告）号：	CN111033744B	公开（公告）日：	2023-04-21
发明（设计）人：	佐伯幸作;西胁青儿;鸣海建治	申请（专利权）人：	松下知识产权经营株式会社
主分类号：	H01L27/146	分类号：	H01L27/146;G02B3/00;G02B5/18;H01L21/31;H01L21/316;H01L21/318
代理公司：	永新专利商标代理有限公司 72002	代理人：	陈建全
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	结构及其制造方法
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【说明书】：

本申请的一个方案的结构体具备：第1电介体层；和第2电介体层，其与上述第1电介体层相接触，具有与上述第1电介体层不同的折射率。上述第2电介体层包含氢浓度互不相同的至少两个电介体膜。在上述第1电介体层与上述第2电介体层的界面处具有周期性的第1凹凸。

技术领域

本申请涉及结构体及其制造方法。

背景技术

以往，开发了制作在物质内具有周期为1μm左右或其以下的周期性结构的结构体的技术。例如，专利文献1及专利文献2公开了一种方法，其通过使用溅射蚀刻将具有周期性的凹凸的多个层进行层叠来制作三维结构体。专利文献1及专利文献2中公开的技术被称为自克隆技术。

专利文献1公开了一种方法，其通过在二维地具有周期性的凹凸的基板上周期性地依次层叠2种以上的物质，并对该层叠体中的至少一部分进行溅射蚀刻，从而三维地形成周期性的结构。

专利文献2公开了通过偏压溅射法使高折射率膜与低折射率膜交替层叠时的具体成膜条件。根据所公开的成膜条件，高折射率膜的成膜速度为16.8nm/分钟，低折射率膜的成膜速度为3.1nm/分钟。高折射率膜的膜厚为190.5nm，低折射率的膜厚为272.5nm。因而，每1周期的高折射率的膜厚与低折射率的膜厚的合计为463.0nm。公开了在这样的条件下进行9个周期的成膜的例子。9个周期的膜厚为4167nm，成膜需要15.7小时。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平10-335758号公报

专利文献2：日本特开2003-255162号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本申请提供能够以比以往短的时间进行制造的结构体及其制造方法。

用于解决课题的手段

本申请的一个方案的制造方法包括下述工序：准备在主表面上具有周期性的凹凸的基板的工序；使用化学气相生长法，在上述主表面上形成第1电介体层的工序；和使用上述化学气相生长法，在上述主表面上形成具有与上述第1电介体层不同的折射率的第2电介体层的工序。形成上述第2电介体层的工序包括下述工序：在对上述基板施加偏压功率的状态下形成第1电介体膜的工序；和在没有对上述基板施加上述偏压功率的状态下在上述第1电介体膜上形成第2电介体膜的工序。

发明效果

根据本申请的实施方式，能够缩短结构体的制造所需的时间。

附图说明

图1是示意性地表示可在本实施方式中的结构体的制造中使用的高密度等离子体CVD装置的构成的图。

图2A是表示本实施方式中的结构体的制造过程的第1图。

图2B是表示本实施方式中的结构体的制造过程的第2图。

图2C是表示本实施方式中的结构体的制造过程的第3图。

图2D是表示本实施方式中的结构体的制造过程的第4图。

图2E是表示本实施方式中的结构体的制造过程的第5图。

图2F是表示本实施方式中的结构体的制造过程的第6图。

图2G是表示本实施方式中的结构体的制造过程的第7图。

图2H是表示本实施方式中的结构体的制造过程的第8图。