[发明专利]结构体及其制造方法

权利要求书

1.一种结构体，其具备：

第1电介体层；和

第2电介体层，其与所述第1电介体层相接触，具有与所述第1电介体层不同的折射率，

其中，所述第2电介体层包含氢浓度互不相同的至少两个电介体膜，

在所述第1电介体层与所述第2电介体层的界面处具有周期性的第1凹凸。

2.根据权利要求1所述的结构体，其中，

所述至少两个电介体膜各自的厚度互不相同。

3.根据权利要求1或2所述的结构体，其中，

所述第2电介体层具有高于所述第1电介体层的折射率。

4.根据权利要求1或2所述的结构体，其中，

所述至少两个电介体膜各自的折射率彼此相等。

5.根据权利要求1或2所述的结构体，其中，

所述至少两个电介体膜各自为硅氮化膜。

6.根据权利要求5所述的结构体，其中，

所述至少两个电介体膜包含第1硅氮化膜和比所述第1硅氮化膜薄的第2硅氮化膜，

所述第2硅氮化膜与所述第1硅氮化膜相比，Si-H键浓度高或者氢浓度高。

7.根据权利要求5所述的结构体，其中，

所述硅氮化膜的折射率为1.90～2.20。

8.根据权利要求1或2所述的结构体，其中，

所述第1电介体层为硅氧化膜。

9.根据权利要求8所述的结构体，其中，

所述硅氧化膜的折射率为1.44～1.47。

10.根据权利要求1所述的结构体，其进一步具备：

第3电介体层；和

第4电介体层，其与所述第3电介体层相接触，

其中，所述第2电介体层配置于所述第4电介体层上，

在所述第3电介体层与所述第4电介体层的界面处具有周期性的第2凹凸，

所述第2凹凸包含底部平坦的第2凹部及与所述第2凹部相邻的第2凸部，

在从所述第2凹部的所述底部到所述第2凸部的顶部之间没有斜面，

在所述第4电介体层与所述第2电介体层的界面处具有周期性的第3凹凸，

所述第3凹凸包含底部部分平坦的第3凹部及与所述第3凹部相邻的第3凸部，

在从所述第3凹部的所述底部到所述第3凸部的顶部之间具有斜面。

11.根据权利要求1所述的结构体，其中，

所述第1凹凸包含第1凹部及与所述第1凹部相邻的第1凸部，

在从所述第1凹部的底部到所述第1凸部的顶部之间具有斜面。

12.一种结构体，其具备：

第1单元结构体；和

第2单元结构体，其层叠于所述第1单元结构体上，

其中，所述第1单元结构体及所述第2单元结构体各自包含：

第1电介体层；和

第2电介体层，其与所述第1电介体层相接触，具有与所述第1电介体层不同的折射率，

所述第2电介体层包含氢浓度互不相同的至少两个电介体膜，

在所述第1单元结构体中的所述第1电介体层与所述第2电介体层的界面及所述第2单元结构体中的所述第1电介体层与所述第2电介体层的界面处具有周期性的第1凹凸，

在所述第1单元结构体与所述第2单元结构体的界面处具有周期性的第4凹凸，

所述第1凹凸及所述第4凹凸具有相同的周期。

13.根据权利要求12所述的结构体，其中，

所述第1单元结构体中的所述第2电介体层中包含的所述至少两个电介体膜的数目不同于所述第2单元结构体中的所述第2电介体层中包含的所述至少两个电介体膜的数目。