[发明专利]密封用树脂组合物、密封用树脂组合物的制造方法、半导体装置及半导体装置的制造方法

说明书

一种满足下述(1)～(3)中的至少一者的密封用树脂组合物。(1)含有环氧树脂和无机填充材料、且上述无机填充材料的比表面积为3.28m²/g以下。(2)含有环氧树脂、无机填充材料、和具有－NH₂或－SH的硅烷偶联剂。(3)含有环氧树脂和无机填充材料，且在固化的状态下的交联密度为0.9mol/cm³以下或1.0mol/cm³以上。

技术领域

本发明涉及密封用树脂组合物、密封用树脂组合物的制造方法、半导体装置及半导体装置的制造方法。

背景技术

功率半导体元件为主要用于电力的电压或频率的控制、直流向交流或交流向直流的变换等的1种半导体元件，被用于电子设备、电动机、发电装置等以电力为动力源的各种领域。因此，具备功率半导体元件的半导体装置(功率半导体装置)需要可耐受高电压且大电流条件下的使用的电气可靠性。例如，要求高温反向偏压试验(High TemperatureReverse Bias、HTRB)中产生的漏电流足够小(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017－45747号公报

发明内容

发明要解决的课题

作为密封功率半导体元件的密封用树脂组合物，广泛使用环氧树脂等含环氧树脂的树脂组合物。为了提高功率半导体装置的电气可靠性，正在从玻璃化转变温度、杂质含有率等角度推进适合于功率半导体元件的密封用途的树脂组合物的研究，但是也存在用这些特性无法说明的部分。

鉴于上述情况，本发明的目的在于，提供能够制造电气可靠性优异的半导体装置的密封用树脂组合物及密封用树脂组合物的制造方法、以及使用其的半导体装置及半导体装置的制造方法。

用于解决课题的方案

用于解决上述课题的手段包括以下的实施方式。

＜1＞一种密封用树脂组合物，其含有环氧树脂和无机填充材料，上述无机填充材料的比表面积为3.28m²/g以下。

＜2＞根据＜1＞所述的密封用树脂组合物，在固化的状态下以频率0.001Hz测定的介电弛豫值为20以下。

＜3＞一种密封用树脂组合物，其含有环氧树脂、无机填充材料、和具有－NH₂或－SH的硅烷偶联剂。

＜4＞根据＜3＞所述的密封用树脂组合物，在固化的状态下以频率0.001Hz测定的介电弛豫值为13以下。

＜5＞一种密封用树脂组合物，其含有环氧树脂和无机填充材料，所述密封用树脂组合物在固化的状态下的交联密度为0.9mol/cm³以下或1.0mol/cm³以上。

＜6＞根据＜5＞所述的密封用树脂组合物，在固化的状态下以频率0.001Hz测定的介电弛豫值为20以下。

＜7＞根据＜1＞～＜6＞中任一项所述的密封用树脂组合物，其用于功率半导体元件的密封。

＜8＞根据＜1＞～＜7＞中任一项所述的密封用树脂组合物，其中，上述无机填充材料的含有率为上述密封用树脂组合物的70体积％以上。

＜9＞一种＜1＞～＜8＞中任一项所述的密封用树脂组合物的制造方法，其包括下述工序：进行控制，使得固化的状态下的交联密度为0.9mol/cm³以下或1.0mol/cm³以上。

＜10＞一种半导体装置，其具备支撑体、配置在上述支撑体上的半导体元件、和密封上述半导体元件的＜1＞～＜8＞中任一项所述的密封用树脂组合物的固化物。