[发明专利]金属醇盐化合物、薄膜形成用原料及薄膜的制造方法

说明书

本发明在于提供由下述通式(1)表示的金属醇盐化合物、含有该化合物的薄膜形成用原料及使用该原料来形成含有金属的薄膜的薄膜的制造方法：[化1](式中，R¹表示氢原子或者碳原子数1～4的烷基，R²表示异丙基、仲丁基、叔丁基、仲戊基、1‑乙基丙基或者叔戊基，R³表示氢或者碳原子数1～4的烷基，R⁴表示碳原子数1～4的烷基，M表示钪原子、钇原子、镧原子、铈原子、镨原子、钕原子、钷原子、钐原子、铕原子、钆原子、铽原子、镝原子、钬原子、铒原子、铥原子、镱原子或者镥原子，n表示由M表示的原子的价数。但是，在M为镧原子的情况下，R²为仲丁基、叔丁基、仲戊基、1‑乙基丙基或者叔戊基)。

技术领域

本发明涉及具有特定的氨基醇作为配体的金属醇盐化合物、含有该化合物的薄膜形成用原料及使用了该薄膜形成用原料的含有金属的薄膜的制造方法。

背景技术

在元素的周期表中将第3族的、从钪(Sc)、钇(Y)和及(La)到镥(Lu)的镧系元素总称为稀土元素，这些稀土元素在电子学、光电子学领域中是重要的元素。这些中，钇为Y-B-C系超电导体的主要构成元素，另外，镧是强电介质PLZT的主要构成元素。另外，大量的镧系元素作为用于赋予作为发光材料等的功能性的添加剂来使用。

就含有这些元素的薄膜而言，能够通过溅射法、离子镀法、涂布热分解法、溶胶凝胶法等MOD法、化学气相生长法等制造法来制造，具有组成控制性、台阶高差被覆性优异、适于批量生产化、可混合集成等众多的优点，因此包含ALD(原子层沉积，Atomic LayerDeposition)法的化学气相生长(以下也有时简单地记载为“CVD”)法为最适合的制造工艺。

作为化学气相生长法中所使用的金属供给源，报道了大量的各种各样的原料，例如，在专利文献1中报道了能够用作薄膜形成用原料的由Co[O-A-NR¹R²](式中，A为可被卤素取代的直链或者分支链的C₂～C₁₀亚烷基，R¹和R²为可被卤素取代的直链或者分支状C₁～C₇烷基)表示的钴的叔氨基醇盐。另外，在非专利文献1中公开了能够用作薄膜形成用原料的镥和钇的醇盐化合物。但是，在非专利文献1中公开的醇盐化合物由于蒸气压低，因此生产率差，进而在用作ALD法用薄膜形成用原料的情况下，存在着在薄膜中混入了大量的残留碳成分的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：韩国注册专利第10-0675983号

非专利文献

非专利文献1：Inorg.Chem.1997,36,3545-3552“Volatile Donor-Functionalized Alkoxy Derivatives of Lutetium and Their StructuralCharacterization”

发明内容

发明要解决的课题

在使化学气相生长用原料等气化而在基材表面形成含有金属的薄膜的情况下，需要蒸气压高、熔点低、能够制造高品质的含有金属的薄膜的薄膜形成用材料。在目前已知的成为稀土元素的供给源的薄膜形成用材料中，没有显示出这样的物性的材料。作为成为稀土元素的供给源的薄膜形成用材料，为了提高生产率，强烈地需求蒸气压高的材料。

因此，本发明的目的在于提供蒸气压高、熔点低、特别适合作为CVD法用的薄膜形成用原料的金属醇盐化合物、含有该化合物的薄膜形成用原料及使用了该薄膜形成用原料的含有金属的薄膜的制造方法。

用于解决课题的手段