[发明专利]流体供给装置和流体供给方法有效
申请号: | 201880052011.0 | 申请日: | 2018-07-31 |
公开(公告)号: | CN110998802B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 吉田俊英;皆见幸男;篠原努 | 申请(专利权)人: | 株式会社富士金;东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/027 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 流体 供给 装置 方法 | ||
提供一种能够稳定地供给超临界流体的流体供给装置和流体供给方法。该流体供给装置是用于朝向处理室(500)供给向超临界流体变化之前的液态的流体的流体供给装置(1),其具有:冷凝器(130),其用于使气态的二氧化碳冷凝液化;贮存器(140),其用于贮存利用冷凝器(130)冷凝液化而成的流体;泵(150),其用于朝向处理室(500)加压输送被贮存于贮存器(140)的液化而成的二氧化碳;以及阻尼部(10),其设于与泵(150)的喷出侧连通的流路(2),用于抑制自泵(150)喷出的液体的周期性的压力变动,阻尼部(10)具有螺旋管(20),该螺旋管(20)的两端部固定于预定的位置,并且该螺旋管(20)形成为供自泵(150)喷出的液体流通的螺旋状。
技术领域
本发明涉及一种半导体基板、光掩模用玻璃基板、液晶显示用玻璃基板等各种基板的干燥工序等所使用的流体的流体供给装置和流体供给方法。
背景技术
大规模且高密度、高性能的半导体装置是通过对在硅晶圆上成膜的抗蚀剂经过曝光、显影、冲洗、干燥而形成图案之后,经过涂敷、蚀刻、冲洗、干燥等工艺来进行制造的。特别是,高分子材料的抗蚀剂为对光、X射线、电子束等感光的高分子材料,在各工序中,由于在显影、冲洗工序中使用了显影液、冲洗液等药液,因此冲洗工序后必须进行干燥工序。
在该干燥工序中,会产生这样的问题:若在抗蚀基板上形成的图案间的空开宽度为90nm左右以下,则会由于图案间残存的药液的表面张力(毛细管力)的作用而在图案间作用有拉普拉斯力,从而发生图案倒塌。作为减轻作用于图案间的表面张力以防止因该图案间残存的药液的表面张力的作用导致图案倒塌的干燥工艺,已知有一种使用了二氧化碳的超临界流体的方法(例如,专利文献1~4)。
专利文献1:日本特开2014-22520号公报
专利文献2:日本特开2006-294662号公报
专利文献3:日本特开2004-335675号公报
专利文献4:日本特开2002-33302号公报
发明内容
二氧化碳的超临界流体向处理腔室的供给通过如下这样进行,即:利用冷凝器(condenser)使来自供给源的气态的二氧化碳(例如,20℃,5.0MPa)冷凝液化,将液化了的二氧化碳贮存于贮存器,利用泵向处理腔室加压输送该液化了的二氧化碳(例如,20℃,20.0MPa)。向处理腔室加压输送的液体状的二氧化碳在处理腔室的前方或者处理腔室内被加热(例如,80℃,20.0MPa),成为超临界流体。
然而,由于利用泵加压输送的液态的二氧化碳发生脉动,因此液体的压力较大地变动。因此,在处理腔室的前方或者处理腔室内变化为超临界状态的二氧化碳的供给量变得不稳定,从而难以稳定地供给二氧化碳的超临界流体。
本发明的目的在于提供一种能够稳定地供给超临界流体的流体供给装置和流体供给方法。
本发明的流体供给装置是用于朝向处理室供给液态的流体的流体供给装置,其中,
该流体供给装置具有:
冷凝器,其用于使气态的流体液化;
贮存器,其用于贮存利用所述冷凝器液化而成的流体;
泵,其用于朝向所述处理室加压输送被贮存于所述贮存器的液化而成的流体;以及
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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