[发明专利]流体供给装置和流体供给方法有效
申请号: | 201880052011.0 | 申请日: | 2018-07-31 |
公开(公告)号: | CN110998802B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 吉田俊英;皆见幸男;篠原努 | 申请(专利权)人: | 株式会社富士金;东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/027 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 流体 供给 装置 方法 | ||
1.一种流体供给装置,该流体供给装置用于朝向处理室供给液态的流体,其特征在于,
该流体供给装置具有:
冷凝器,其用于使气态的流体液化;
贮存器,其用于贮存利用所述冷凝器液化而成的流体;
泵,其用于朝向所述处理室加压输送被贮存于所述贮存器的液化而成的流体;以及
阻尼部,其与所述泵的喷出侧的流路连通,用于抑制自所述泵喷出的液体的压力变动,
所述阻尼部具有变流管部,该变流管部形成为该变流管部的两端部固定于预定的位置,并且在所述两端部之间改变液体流动的方向。
2.根据权利要求1所述的流体供给装置,其特征在于,
所述阻尼部设于在所述泵与自动开闭阀之间分支出的流路,该自动开闭阀设于自所述泵的喷出侧至所述处理室的流路的中途,所述分支出的分支流路是供自所述泵喷出的液体向所述冷凝器返回的流路。
3.根据权利要求2所述的流体供给装置,其中,
所述冷凝器、所述贮存器、所述泵和所述自动开闭阀设于主流路,该主流路连结用于供给所述气态的流体的流体供给源和所述处理室,
所述阻尼部设于分支流路,该分支流路自所述泵与所述自动开闭阀之间分支出来,与所述主流路的靠所述冷凝器的上游的部分连接,
在所述自动开闭阀关闭的状态下,自所述泵加压输送的所述液态的流体经由所述分支流路再次向所述冷凝器和所述贮存器返回,
在所述自动开闭阀开放时,所述液态的流体被向所述处理室加压输送,利用设于所述处理室的跟前或者所述处理室内的加热单元加热从而变化为超临界状态。
4.根据权利要求3所述的流体供给装置,其中,
所述阻尼部被设为在所述自动开闭阀开放的状态下抑制自所述泵喷出的液体的压力变动。
5.根据权利要求3或4所述的流体供给装置,其中,
在所述主流路中,在比所述冷凝器靠上游侧的与所述分支流路连接的连接部的上游设有用于防止流体向所述流体供给源侧逆流的单向阀。
6.根据权利要求1~4中任一项所述的流体供给装置,其中,
所述变流管部包括螺旋管、旋涡形管、波形管和蛇行管中任一者。
7.根据权利要求1~4中任一项所述的流体供给装置,其中,
所述流体包括二氧化碳。
8.一种流体供给方法,其特征在于,
该流体供给方法使用权利要求1~7中任一项所述的流体供给装置朝向处理室供给液态的流体。
9.一种半导体制造装置,其中,
该半导体制造装置具有:
权利要求1~7中任一项所述的流体供给装置;以及
处理室,在该处理室内,使用自所述流体供给装置供给来的流体对基体进行处理。
10.一种半导体制造方法,其中,
该半导体制造方法使用权利要求1~7中任一项所述的流体供给装置供给来的流体进行基体的处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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