[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序

说明书

本发明提供一种构成。该构成具有：处理容器，其构成处理气体被进行等离子体激励的等离子体生成空间和与等离子体生成空间连通的基板处理空间；等离子体生成部，其具有以包围等离子体生成空间的方式配置并且以卷绕在处理容器的外周的方式设置的线圈和向该线圈供给高频电力的高频电源；气体供给部，其向该等离子体生成空间供给处理气体；温度传感器，其设置在处理容器的外侧，对该处理容器的温度进行检测；以及控制部，其以在执行用于对基板进行处理的处理制程之前，使由温度传感器检测到的处理容器的温度落在由预先设定的上限值及下限值规定的目标温度的范围内的方式进行控制。

技术领域

本发明涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序。

背景技术

近年来，快闪存储器等半导体器件存在高集成化的倾向。与之相伴地，图案尺寸显著微细化。在形成这些图案时，作为制造工序的一个工序，有时实施对基板进行氧化处理或氮化处理等规定处理的工序。

例如，专利文献1中公开了使用等离子体激励的处理气体对在基板上形成的图案表面进行改性处理。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-75579号公报

发明内容

当前，通过在基板处理的前处理中执行多片虚设基板处理，而在使石英圆顶的温度上升后对产品批次(产品基板组)进行处理，因此存在生产率低下的担忧。

本发明提供在对产品批次进行处理前执行不使用虚设基板的前处理的制程执行控制。

根据本发明的一方案提供下述构成，该构成具有：处理容器，其构成处理气体被进行等离子体激励的等离子体生成空间和与等离子体生成空间连通的基板处理空间；等离子体生成部，其具有以包围等离子体生成空间的方式配置并且以卷绕在处理容器的外周的方式设置的线圈和向该线圈供给高频电力的高频电源；气体供给部，其向该等离子体生成空间供给处理气体；温度传感器，其设置在处理容器的外侧，对该处理容器的温度进行检测；以及控制部，其以在执行用于对基板进行处理的处理制程之前，使由温度传感器检测到的处理容器的温度落在由预先设定的上限值及下限值规定的目标温度的范围内的方式进行控制。

发明效果

根据本发明，能够通过缩短产品批次处理用的处理制程前的前处理花费的时间来抑制生产率的低下。

附图说明

图1是本发明一实施方式的基板处理装置的构成图(俯视图)。

图2是本发明一实施方式的基板处理装置的概略剖视图。

图3是示出本发明一实施方式的基板处理装置的控制部(控制机构)的构成的图。

图4是示出本发明一实施方式的基板处理工序的流程图。

图5是本发明一实施方式的时序制程编辑画面的图示例。

图6A是本发明一实施方式的前处理制程的流程的一个实施例。

图6B是本发明一实施方式的前处理制程的流程的一个实施例。

图7是本发明一实施方式的前处理制程的流程的一个实施例。

具体实施方式

＜本发明的第一实施方式＞

(1)基板处理装置的构成

以下使用图1说明本发明第1实施方式的基板处理装置。