[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

处理容器，其构成处理气体被进行等离子体激励的等离子体生成空间和与所述等离子体生成空间连通的基板处理空间；

等离子体生成部，其具有以包围所述等离子体生成空间的方式配置并且以卷绕在所述处理容器的外周的方式设置的线圈和向所述线圈供给高频电力的高频电源；

气体供给部，其向所述等离子体生成空间供给所述处理气体；

温度传感器，其设置在所述处理容器的外侧，对所述处理容器的温度进行检测；以及

控制部，其以在执行用于对基板进行处理的处理制程之前，使由所述温度传感器检测到的所述处理容器的温度落在由预先设定的上限值及下限值规定的目标温度的范围内的方式对所述等离子体生成部及所述气体供给部进行控制。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述处理容器构成上侧容器和下侧容器，所述温度传感器构成为设置在所述上侧容器。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述控制部构成为在所述处理制程之前执行前处理制程，所述前处理制程构成为向所述线圈供给对所述处理气体进行等离子体激励的高频电力。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

所述前处理制程构成为不进行所述基板的搬运。

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述控制部构成为在由所述温度传感器检测到的温度低于所述目标温度的下限值的情况下，以使所述处理容器的温度上升的方式向所述线圈供给所述高频电力。

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述控制部构成为在由所述温度传感器检测到的温度高于所述目标温度的上限值的情况下，不向所述线圈供给所述高频电力。

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述控制部构成为在由所述温度传感器检测到的温度低于所述目标温度的下限值的情况下，以使所述处理容器的温度上升的方式接通所述高频电源而向所述线圈供给所述高频电力，并且在超过所述目标温度的上限值的情况下关闭所述高频电源，使所述处理容器的温度降低。

8.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

所述控制部构成为在由所述温度传感器检测到的温度高于所述目标温度的下限值且低于所述目标温度的上限值的情况下，使所述前处理制程结束。

9.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

还具有多个所述处理容器，所述控制部在由分别设置于所述处理容器的温度传感器检测到的各温度高于所述目标温度的下限值且低于所述目标温度的上限值的情况下，使所述前处理制程结束。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，

所述控制部构成为向在所述处理容器形成的各基板处理室分配搬运所述基板，并分别执行所述处理制程。

11.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

还具有多个所述处理容器，所述控制部在由分别设置于所述处理容器的温度传感器中的至少一个温度传感器检测到的温度高于所述目标温度的上限值的情况下或者低于所述目标温度的下限值的情况下，继续执行所述前处理制程。

12.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，

所述控制部构成为还执行空闲制程，所述前处理制程构成为在所述空闲制程后执行。