[发明专利]半导体模块、显示装置以及半导体模块的制造方法有效

专利信息
申请号: 201880051858.7 申请日: 2018-07-19
公开(公告)号: CN110998879B 公开(公告)日: 2023-06-27
发明(设计)人: 大沼宏彰;小野高志;东坂浩由;小野刚史;栗栖崇;幡俊雄 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;B23K26/57;G09F9/30;H01L33/08;H01L33/22
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 郝家欢
地址: 日本国大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 模块 显示装置 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体模块,其特征在于,

具备:

形成有驱动电路的基底基板;

与所述驱动电路电连接多个发光元件;

绝缘层,其形成在除了端子部及电极部之外的所述驱动电路的最表面;以及

树脂,其在相互邻接的所述发光元件间的槽的所述基底基板侧,在俯视中,填充所述槽,

在俯视中,相互邻接的所述发光元件间的距离为20μm以下,

在所述槽中,在所述绝缘层上的至少一部分形成有所述树脂。

2.一种半导体模块,其特征在于,具备:

基底基板,其形成有驱动电路;

多个发光元件,其与所述驱动电路电连接;

绝缘层,其形成在除了端子部及电极部之外的所述驱动电路的最表面;

树脂,其在相互邻接的所述发光元件间的槽的所述基底基板侧,在俯视中,填充所述槽;以及

半导体层,其在相互邻接的所述发光元件间的所述槽的与所述基底基板相反侧,在俯视中,遮盖所述槽,

在所述槽中,在所述绝缘层上的至少一部分形成有所述树脂。

3.根据权利要求1或2所述的半导体模块,其特征在于,

所述多个发光元件的每一个的与所述基底基板相反侧的表面为凹凸形状。

4.根据权利要求1或2所述的半导体模块,其特征在于,

所述树脂是遮光性部材或光反射性部件,其在俯视中,遮盖所述槽。

5.如权利要求1或2所述的半导体模块,其特征在于,所述树脂的与所述基底基板相反侧的表面为凹凸形状。

6.如权利要求1或2所述的半导体模块,其特征在于,具备配置在所述多个发光元件的每一个的上部的多个颜色转换层。

7.一种显示装置,其特征在于,具备权利要求1或2所述的半导体模块。

8.一种半导体模块的制造方法,其特征在于,包含:

从生长在生长衬底上的半导体层上形成多个发光元件的工序;

从所述多个发光元件通过激光照射而使所述生长衬底脱落的工序;以及

在相互邻接的所述发光元件间的槽的基底基板侧,在俯视中,向所述槽填充树脂的工序,

形成所述多个发光元件的工序中,包含在所述激光照射时使朝向基底基板的激光通过的、相互邻接的所述发光元件间的距离,形成为在俯视中为0.1μm以上且20μm以下的工序,

所述多个发光元件与形成于所述基底基板的驱动电路电连接,

在除了端子部及电极部之外的所述驱动电路的最表面形成有绝缘层,

在所述槽中,在所述绝缘层上的至少一部分形成有所述树脂。

9.如权利要求8所述的半导体模块的制造方法,其特征在于,形成所述多个发光元件的工序还包含以下工序:在所述激光照射时使朝向所述基底基板的激光通过的、相互邻接的所述发光元件间的空间的所述生长衬底侧,在俯视中,以遮盖所述空间的方式,使厚度为0.1μm以上且3μm以下的所述半导体层残存,

所述半导体层为氮化物半导体层。

10.如权利要求8所述的半导体模块的制造方法,其特征在于,使所述生长衬底脱落的工序包含有在所述多个发光元件的每一个的所述生长衬底侧的表面形成凹凸形状的工序。

11.如权利要求8所述的半导体模块的制造方法,其特征在于,还包含在相互邻接的所述发光元件间的槽填充树脂的工序。

12.如权利要求11所述的半导体模块的制造方法,其特征在于,在填充所述树脂的工序中,以覆盖所述基底基板的上面以及所述发光元件的整个露出面的方式填充所述树脂。

13.如权利要求11所述的半导体模块的制造方法,其特征在于,使所述生长衬底脱落的工序包含有在所述树脂的所述生长衬底侧的表面形成凹凸形状的工序。

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