[发明专利]模制芯片组合有效
申请号: | 201880051822.9 | 申请日: | 2018-07-30 |
公开(公告)号: | CN111033731B | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 米林德·S·巴格瓦特;傅磊;伊沃·巴伯;梁家坚;拉胡尔·阿加瓦尔 | 申请(专利权)人: | 超威半导体公司 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/31;H01L23/00 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;邱晓敏 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 组合 | ||
1.一种模制芯片组合,所述模制芯片组合包括:
第一半导体芯片,所述第一半导体芯片具有第一物理装置区和第一非物理装置区,所述第一物理装置区具有第一组导体衬垫,所述第一组导体衬垫中的每个导体衬垫具有第一横向尺寸,并且所述第一非物理装置区具有第二组导体衬垫,所述第二组导体衬垫中的每个导体衬垫具有与所述第一组导体衬垫基本上相同的所述第一横向尺寸;
第二半导体芯片,所述第二半导体芯片具有第二物理装置区;
互连芯片,所述互连芯片将所述第一物理装置区互连到所述第二物理装置区;
第一模制层,所述第一模制层将所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片横向地接合在一起;
第二模制层,所述第二模制层至少部分地囊封所述互连芯片;以及
聚合物层,所述聚合物层定位在所述第一模制层与所述第二模制层之间,其中,所述聚合物层具有与所述第一组导体衬垫对准的多个开口和与所述第二组导体衬垫对准的多个互连开口,所述聚合物层具有所述开口中的每一者中的导电支柱和所述互连开口中的每一者中的互连的导电支柱,所述第一非物理装置区包括所述互连的导电支柱上的另一导电支柱,所述另一导电支柱具有大于所述第一横向尺寸的第二横向尺寸。
2.如权利要求1所述的模制芯片组合,其中所述第一半导体芯片包括用于在将所述模制芯片组合安装在电路板上时连接到所述电路板的第一多个互连件,并且所述第二半导体芯片包括用于在将所述模制芯片组合安装在所述电路板上时连接到所述电路板的第二多个互连件。
3.如权利要求2所述的模制芯片组合,其中所述第一半导体芯片包括连接到所述第一互连件的第一非物理装置区,并且所述第二半导体芯片包括连接到所述第二互连件的第二非物理装置区。
4.如权利要求1所述的模制芯片组合,所述模制芯片组合包括电路板,其中所述模制芯片组合安装在所述电路板上。
5.如权利要求1所述的模制芯片组合,其中所述第一半导体芯片包括处理器并且所述第二半导体芯片包括存储器芯片。
6.一种模制芯片组合,所述模制芯片组合包括:
第一半导体芯片,所述第一半导体芯片具有第一物理装置区和第一非物理装置区,其中所述第一半导体芯片物理装置区包括第一组导体衬垫,所述第一组导体衬垫中的每个导体衬垫具有第一横向尺寸,并且所述第一半导体芯片非物理装置区包括第二组导体衬垫,所述第二组导体衬垫中的每个导体衬垫具有与所述第一组导体衬垫基本上相同的所述第一横向尺寸;
第二半导体芯片,所述第二半导体芯片具有第二物理装置区和第二非物理装置区;
互连芯片,所述互连芯片将所述第一物理装置区互连到所述第二物理装置区;
第一模制层,所述第一模制层将所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片横向地接合在一起;
第二模制层,所述第二模制层接合到所述第一模制层并且至少部分地囊封所述互连芯片和所述第一模制层;以及
聚合物层,所述聚合物层定位在所述第一模制层与所述第二模制层之间,其中,所述聚合物层具有与所述第一组导体衬垫对准的多个开口和与所述第二组导体衬垫对准的多个互连开口,所述聚合物层具有所述开口中的每一者中的导电支柱和所述互连开口中的每一者中的互连的导电支柱,所述非物理装置区包括所述互连的导电支柱上的另一导电支柱,所述另一导电支柱具有大于所述第一横向尺寸的第二横向尺寸。
7.如权利要求6所述的模制芯片组合,其中所述第一半导体芯片包括用于在将所述模制芯片组合安装在电路板上时连接到所述电路板的第一多个互连件,并且所述第二半导体芯片包括用于在将所述模制芯片组合安装在所述电路板上时连接到所述电路板的第二多个互连件。
8.如权利要求7所述的模制芯片组合,其中所述第一半导体芯片第一非物理装置区连接到所述第一互连件,并且所述第二半导体芯片第二非物理装置区连接到所述第二互连件。
9.如权利要求6所述的模制芯片组合,所述模制芯片组合包括电路板,其中所述模制芯片组合安装在所述电路板上。
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