[发明专利]具有掺氯芯体和偏移沟槽的低弯曲损耗光纤有效
申请号: | 201880051797.4 | 申请日: | 2018-08-05 |
公开(公告)号: | CN111033334B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | D·C·布克班德;李明军;S·K·米什拉;P·坦登 | 申请(专利权)人: | 康宁股份有限公司 |
主分类号: | G02B6/028 | 分类号: | G02B6/028;G02B6/036 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张璐;项丹 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 掺氯芯体 偏移 沟槽 弯曲 损耗 光纤 | ||
一种光纤,包括(i)掺氯的二氧化硅基芯体,其具有芯体阿尔法(芯体α)≥4、半径r1和最大折射率德尔塔Δ1最大%以及(ii)包围芯体的包层。包围芯体的包层包括a)第一内包层区域,其毗邻且接触芯体并且具有折射率德尔塔Δ2、半径r2和最小折射率德尔塔Δ2最小,使得Δ2最小Δ1最大,b)第二内包层,其毗邻且接触第一内包层并且具有折射率Δ3、半径r3和最小折射率德尔塔Δ3最小,使得Δ3最小Δ2,和c)外包层区域,其包围第二内包层区域并且具有折射率Δ5、半径r最大和最小折射率德尔塔Δ3最小,使得Δ3最小Δ2。
本申请根据35U.S.C.§119要求2017年8月8日提交的系列号为62/542,518的美国临时申请以及2017年10月27日提交的第2019817号荷兰专利申请的优先权权益,本申请以二者的内容为基础,并通过参考将其全文纳入本文。
技术领域
本公开一般涉及具有低弯曲损耗的单模光纤,具体涉及具有掺氯芯体的光纤,更具体涉及具有掺氯芯体和包围芯体的包层且包层具有偏移沟槽区域的单模光纤。
背景技术
需要低弯曲损耗的光纤,特别是用于所谓的“接入”和光纤到驻地(FTTx)的光网络中的光纤。光纤可以部署在这种网络中,其布署的方式引起通过光纤传输的光信号的弯曲损耗。一些应用可提出的物理要求引起弯曲损耗,例如小的弯曲半径、光纤压缩等,这些应用包括下线光缆组件中的光纤部署,带有工厂安装的端接系统(FITS)和松弛环路的分配线缆,位于连接馈线缆和分配线缆的机柜中的小弯曲半径的多端口,以及分配线缆和下线缆之间的网络接入点中的跳线。在一些光纤设计中,很难同时实现低的宏弯损耗,低的微弯损耗,低的线缆截止波长,1300nm至1324nm之间的零色散波长,8.2至9.6微米的1310模场直径和符合ITU G.652/G.657标准。
发明内容
根据另一个实施方式,提供了一种单模光纤。所述单模光纤包括(i)掺氯的二氧化硅基芯体,其具有芯体阿尔法(芯体α)10、半径r1和最大折射率德尔塔Δ1最大%以及(ii)包围芯体的包层。包围芯体的包层包括a)第一内包层区域,其毗邻且接触芯体并且具有折射率德尔塔Δ2、半径r2和最小折射率德尔塔Δ2最小,使得Δ2最小Δ1最大,b)第二内包层,其毗邻且接触第一内包层并且具有折射率Δ3、半径r3和最小折射率德尔塔Δ3最小,使得Δ3最小Δ2,和c)外包层区域,其包围第二内包层区域并且具有折射率Δ5和半径r最大,使得Δ3最小Δ2。所述光纤在1310的模场直径≥9微米,线缆截止波长≤1260,零色散波长范围为1300nm≤λ0≤1324nm,并且对于20mm心轴,1550nm处的宏弯损耗小于0.75dB/圈(dB/turn)。
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