[发明专利]具有掺氯芯体和偏移沟槽的低弯曲损耗光纤

权利要求书

1.一种光纤(10)，其包括：

掺氯的二氧化硅基芯体(14)，其具有半径r₁、最大折射率德尔塔Δ_1最大和≥2.5重量％的芯体中的氯浓度，

包围芯体(14)的包层(26)，其毗邻且接触芯体(14)并且具有折射率德尔塔Δ₂、半径r₂和最小折射率德尔塔Δ_2最小，使得Δ_2最小Δ_1最大，

第二内包层(30)或沟槽层(30a)，其毗邻且接触包围芯体(14)的第一内包层(26)，其中，第二内包层(30)或沟槽层(30a)具有折射率Δ₃和半径r₃，

其中，第二内包层(30)或沟槽层(30a)具有最小折射率德尔塔Δ_3最小，使得Δ_3最小Δ₂，并且

其中，第二内包层(30)或沟槽层(30a)具有体积V_沟槽，所述沟槽体积V_沟槽为0.4％Δ·微米²≤V_沟槽≤15％Δ·微米²。

2.如权利要求1所述的光纤(10)，其中，掺氯的二氧化硅基芯体(14)包含芯体阿尔法(芯体_α)≥4。

3.如权利要求1或2所述的光纤(10)，其具有：

在1310的模场直径MFD≥9微米；

线缆截止≤1260nm；

零色散波长范围为1300nm≤λ₀≤1324nm；并且

对于20mm心轴，1550nm处的宏弯损耗小于0.75dB/圈。

4.如权利要求1所述的光纤(10)，其还包括外包层区域(34)，其具有折射率Δ₅和半径r_最大，使得具有以下中的一项或多项：

-使Δ_3最小Δ₅。

5.如权利要求1所述的光纤(10)，其具有以下中的一项或多项：

其中，在20mm直径的心轴上的1550nm处的宏弯损耗≤0.5dB/圈，

其中，最大折射率Δ_1最大的范围为0.10％≤Δ_1最大≤0.45％。

6.如权利要求1所述的光纤(10)，其中，最小折射率Δ_3最小为-0.5％≤Δ_3最小≤0.25％，优选地，其中，最小折射率Δ_3最小为-0.25％≤Δ_3最小≤0.15％。

7.如权利要求1所述的光纤(10)，其中，半径r₃为15.0微米≤r₃≤30.0微米。

8.如权利要求1所述的光纤(10)，其具有以下中的一项或多项：

其中，所述光纤展现出在20mm直径的心轴上的1550nm处的宏弯损耗≤0.70dB/圈，并且展现出MACC数在7.1至8.1之间，

其是单模光纤，

其中，在30mm直径的心轴上的1550nm处的宏弯损耗≤0.005dB/圈，

其中，掺氯的二氧化硅基芯体包含芯体阿尔法(Core_α)≥15。

9.如权利要求1所述的光纤(10)，其中，最大折射率Δ_3最大为-0.5％≤Δ_3最大≤0.5％。

10.如权利要求1所述的光纤(10)，其中，半径r₃为15.0微米≤r₃≤75.0微米。