[发明专利]用于临界尺寸测量的检验导引临界位点选择

说明书

本发明揭示用于确定临界尺寸CD测量或检验的位置的系统及方法。可执行基于临界尺寸变化的潜在影响实时选择进行临界尺寸测量的位置。还可使用半导体装置的设计以预测可受临界尺寸变化影响的位置。基于可包含排名或临界性的有序位置列表，可在选定位置处测量临界尺寸。结果可用于细化临界尺寸位置预测模型。

相关申请案的交叉参考

本申请案主张在2017年8月7日申请的第201741027957号印度临时申请案及在2017年9月18日申请的第62/559,820号美国临时申请案的优先权，所述申请案的揭示内容以引用的方式并入本文。

技术领域

本发明涉及半导体检验。

背景技术

半导体制造业的演变对良率管理且特定来说对计量及检验系统提出更高要求。在晶片大小增加时临界尺寸(CD)缩小。经济学驱动产业减少实现高良率、高价值生产的时间。因此，最小化从检测到良率问题到将其修复的总时间确定对于半导体制造者的投资回报。

制造半导体装置(例如逻辑及存储器装置)通常包含使用大量制造工艺处理半导体晶片以形成所述半导体装置的各种特征及多个层级。例如，光刻是涉及将图案从光罩转印到布置于半导体晶片上的光致抗蚀剂的半导体制造工艺。半导体制造工艺的额外实例包含(但不限于)化学机械抛光(CMP)、蚀刻、沉积及离子植入。多个半导体装置可制造于单个半导体晶片上的布置中且接着分成个别半导体装置。

临界尺寸(CD)测量是半导体制造流程的工艺特性化的部分。临界尺寸的均匀性对于光刻小组及装置工程设计小组可为重要的。临界尺寸的硅转移的设计可根据规格提供芯片性能。然而，确定将在其处测量临界尺寸的位点清单可具挑战性的。

通常从装置角度检验临界尺寸均匀性。芯片内存在很大程度上依靠临界尺寸的均匀性来提供最优性能的特定装置。因此，临界尺寸的均匀性可为更加以装置为中心的问题而非以工艺为中心的问题。

设计工程师、装置工程师、光学接近校正(OPC)小组及掩模制造厂(mask house)在历史上已提供用于进行临界尺寸测量的位置列表。然而，当各方不同意应进行临界尺寸测量的位置时，不存在检验所有这些位置或平衡检验的有条理方法。临界尺寸检验可为非常耗时的且降低制造产量，因此半导体制造者可能需要对用于检验的位置排定优先级。

临界尺寸均匀性测量位点的额外输入已是基于装置重要性的临界尺寸、被认为高度工艺敏感或可为工艺敏感的特征、来自OPC小组的基于光学规则检查(ORC)的热点及来自掩模制造厂的基于掩模规则检查(MRC)的热点。这些外额外输入仍无法实现有条理检验技术。未利用来自晶片检验工具的输出以按考虑设计临界性及/或复杂性的方式找到位点。甚至在这些输入的情况下，依然随机有效选取位点。

因此，需要改进的临界尺寸检验技术及系统。

发明内容

在第一实施例中，提供一种用于确定用于临界尺寸的测量的临界位置的方法。在处理器处接收有序位置列表。所述有序位置列表中的每一有序位置包含数据块。获得临界尺寸测量值。获得所述临界尺寸测量值包括：(a)使用所述处理器从所述有序位置列表选择一个有序位置以获得选定位置；(b)在所述选定位置处测量第一临界尺寸以获得第一临界尺寸测量值；(c)使用所述处理器将所述第一临界尺寸测量值添加到所述选定位置的所述数据块；及(d)针对所述有序位置列表中剩余的所述有序位置中的每一者重复步骤(a)到(c)。