[发明专利]在空腔中检测微波场的方法及设备有效

专利信息
申请号: 201880051023.1 申请日: 2018-07-10
公开(公告)号: CN110998340B 公开(公告)日: 2023-01-10
发明(设计)人: 阿南塔克里希纳·朱普迪;欧岳生;雅各布·纽曼;普雷塔姆·拉奥;和田裕一;维诺德·拉马钱德兰 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: G01R29/08 分类号: G01R29/08;H01L21/67
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;赵静
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 空腔 检测 微波 方法 设备
【说明书】:

一种用于转送微波空腔中的微波场强度的设备。在一些实施方式中,所述设备包括微波可穿透的基板,所述微波可穿透的基板具有至少一个射频(RF)检测器,所述RF检测器能够检测微波场并产生信号,所述信号与检测到的所述微波场的微波场强度相关联,及传送器,所述传送器从所述RF检测器接收与检测到的所述微波场相关联的所述信号,并传送或储存关于检测到的所述微波场强度的信息。在一些实施方式中,所述设备通过位于所述RF检测器附近的有线、无线或光学传送器来转送所述微波强度。

技术领域

本原理的实施方式总体上关于半导体制造系统中使用的半导体处理腔室。

背景技术

举例而言,微波在半导体处理中用来退火、清洁、固化及脱气。微波可用来批量处理单个晶片及/或多个晶片。产生微波并使用波导以将微波传送到空腔中。空腔及空腔内的任何晶片支撑件或其他结构影响微波的分布。空腔中可形成驻波(standing waves)或微波分布可能不均匀。驻波及不均匀性两者都会对空腔中的晶片处理产生负面影响。

因此,发明人开发了一种改进的微波检测器及检测空腔中的微波的方法。

发明内容

在一些实施方式中,一种用于识别在微波腔室中的微波能量的特性的设备包括:微波可穿透的基板,所述微波可穿透的基板具有:至少一个射频(RF)检测器,所述RF检测器能够检测微波场并产生信号,所述信号与检测到的微波场的场强度相关联;及传送器,所述传送器从所述RF检测器接收与所述检测到的微波场相关联的所述信号,并传送关于所述检测到的微波场强度的信息。

在一些实施方式中,一种用于识别在微波腔室中的微波能量的特性的设备包括:微波可穿透的基板,所述微波可穿透的基板具有:至少一个射频(RF)检测器,所述RF检测器能够检测微波场并产生信号,所述信号与所述微波场的微波场强度相关联;及至少一个发光二极管(LED),所述至少一个LED电性耦合至所述至少一个RF检测器,其中所述LED基于从所述RF检测器接收到的与所述微波场的所述微波场强度相关联的所述信号,持续地发射微波场强度的视觉指示。

在一些实施方式中,一种用于处理半导体的半导体处理腔室包括:用于处理半导体基板的微波空腔,所述微波空腔包括:至少一个微波可穿透的基板,所述微波可穿透的基板内部地安装至所述微波空腔,所述微波可穿透的基板具有:至少一个射频(RF)检测器,所述RF检测器能够检测微波场并产生信号,所述信号与所述微波场的微波场强度相关联;及传送器,所述传送器从所述RF检测器接收与所述微波场相关联的所述信号,并传送关于所述微波场强度的信息。

附图说明

通过参考在附图中描绘的原理的说明性实施方式,可理解以上简要概述并在下方更详细讨论的本原理的实施方式。然而,附图仅绘示原理的典型实施方式,且因此附图不被认为是对范围的限制,因为所述原理可允许其他等效的实施方式。

图1根据本原理的一些实施方式描绘了微波强度检测单元。

图2根据本原理的一些实施方式描绘了有线微波强度检测单元。

图3根据本原理的一些实施方式描绘了无线微波强度检测单元。

图4根据本原理的一些实施方式描绘了具有存储器的微波强度检测单元。

图5根据本原理的一些实施方式描绘了原位(in situ)微波强度检测单元。

图6根据本原理的一些实施方式描绘了三维微波强度检测单元。

为了促进理解,尽可能地使用相同的元件符号来表示绘图中共有的相同元件。所述绘图并非按比例绘制,并且可能为了清晰起见而被简化。一个实施方式的元件及特征可有益地并入其他实施方式中而无需进一步叙述。

具体实施方式

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