[发明专利]在空腔中检测微波场的方法及设备有效
申请号: | 201880051023.1 | 申请日: | 2018-07-10 |
公开(公告)号: | CN110998340B | 公开(公告)日: | 2023-01-10 |
发明(设计)人: | 阿南塔克里希纳·朱普迪;欧岳生;雅各布·纽曼;普雷塔姆·拉奥;和田裕一;维诺德·拉马钱德兰 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | G01R29/08 | 分类号: | G01R29/08;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 空腔 检测 微波 方法 设备 | ||
1.一种用于识别在微波腔室中的微波能量的特性的设备,所述设备包括:
微波可穿透的基板,所述微波可穿透的基板具有:
至少一个射频(RF)检测器,所述RF检测器被配置为连续地检测在至少一个频率范围内的微波场并连续地产生至少一个信号,所述至少一个信号与检测的微波场强度相关联;
模拟至数字转换器,所述模拟至数字转换器电性耦合到所述至少一个RF检测器,所述模拟至数字转换器将与检测的所述微波场强度相关联的所述至少一个信号转换成数据;及
传送器,所述传送器电性耦合到所述模拟至数字转换器以从所述模拟至数字转换器接收所述数据并传送所述数据,所述数据反映微波场强度随时间的连续变化。
2.如权利要求1所述的设备,其中所述传送器实时地将所述检测的微波场强度传送至微波空腔之外的远程位置。
3.如权利要求1所述的设备,其中所述至少一个RF检测器接收在至少两个维度平面中的微波场。
4.如权利要求1所述的设备,所述设备进一步包括:
存储器,所述存储器电性耦合至所述传送器,且其中所述传送器将所述数据储存在所述存储器上。
5.如权利要求1所述的设备,其中在传送所述数据之前,所述传送器以时间标签或标识来标记所述数据。
6.一种用于识别在微波腔室中的微波能量的特性的设备,所述设备包括:
微波可穿透的基板,所述微波可穿透的基板具有:
至少一个射频(RF)检测器,所述RF检测器被配置为连续地检测在至少一个频率范围内的微波场并连续地产生至少一个数字信号,所述至少一个数字信号与检测的微波场强度相关联;及
至少一个发光二极管(LED),所述至少一个LED电性耦合至所述至少一个RF检测器,其中所述至少一个LED基于从所述RF检测器接收到的与所述检测的微波场强度相关联的所述至少一个数字信号,持续地发射微波场强度的视觉指示并连续地改变照明。
7.如权利要求6所述的设备,所述设备进一步包括:
照相机,所述照相机位于远离所述微波可穿透的基板处,其中所述照相机监视或记录来自所述微波可穿透的基板的至少一个视觉指示。
8.如权利要求6所述的设备,其中所述至少一个RF检测器接收在至少两个维度平面中的微波场,且所述至少一个LED对于相关联的维度平面提供微波场强度的视觉指示。
9.一种用于处理半导体的半导体处理腔室,所述半导体处理腔室包括:
用于处理半导体基板的微波空腔,所述微波空腔包括:
至少一个微波可穿透的基板,所述微波可穿透的基板内部地安装至所述微波空腔,所述微波可穿透的基板具有:
至少一个射频(RF)检测器,所述RF检测器被配置为连续地检测在至少一个频率范围内的微波场并连续地产生至少一个信号,所述至少一个信号与检测的微波场强度相关联;
模拟至数字转换器,所述模拟至数字转换器电性耦合到所述至少一个RF检测器,所述模拟至数字转换器将由所述RF检测器所检测到的所述微波场强度转换成数据;及
传送器,所述传送器电性耦合到所述模拟至数字转换器以从所述模拟至数字转换器接收所述数据并传送所述数据,所述数据反映微波场强度随时间的连续变化。
10.如权利要求9所述的半导体处理腔室,所述半导体处理腔室进一步包括:
存储器,所述存储器电性耦合至所述传送器,且其中所述传送器将所述数据储存在所述存储器上。
11.如权利要求9所述的半导体处理腔室,其中所述至少一个RF检测器接收在至少两个维度平面中的微波场。
12.如权利要求9所述的半导体处理腔室,其中所述至少一个微波可穿透的基板之中至少一个具有RF检测器阵列,以接收在至少一个维度平面中的微波场。
13.如权利要求9所述的半导体处理腔室,其中所述传送器实时地将所述数据传送至所述微波空腔之外的远程位置。
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