[发明专利]用于移动基板的方法和系统以及用于评估基板的方法有效
申请号: | 201880050681.9 | 申请日: | 2018-08-02 |
公开(公告)号: | CN111033712B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 奥弗·阿丹;伊斯拉埃尔·阿夫内里;约拉姆·乌兹尔;伊戈尔·克里夫茨(克莱维茨);尼兰詹·拉姆钱德拉·哈斯基瓦莱 | 申请(专利权)人: | 应用材料以色列公司;应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/687;H01L21/66 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 以色列*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 移动 方法 系统 以及 评估 | ||
一种用于移动基板的方法和系统,所述系统包含:腔室、夹盘、移动系统,所述移动系统设置在所述腔室的外部、控制器、中间元件、至少一个密封元件,所述至少一个密封元件经配置以在所述中间元件与腔室壳体之间形成动态密封。所述移动系统经配置以对于所述基板的多个区域中的所述基板的每一区域重复以下步骤:旋转所述夹盘以将所述基板的所述区域的给定部分放置在与腔室壳体的开口相关的视域内;及相对于所述开口移动所述夹盘,以将所述基板的所述区域的额外的部分放置在与所述开口相关的所述视域内。
相关申请的交叉引用
此申请案主张美国专利申请案序列号15/668,517的权益(所述专利申请案于2017年8月3日提出申请),所述专利申请案的内容在此通过引用的方式全体地并入本文中。
发明背景
通过在位于处理腔室中的一或多个基板上建构半导体装置来制造集成电路。半导体装置互相连接以形成集成电路(IC)。半导体晶片可具有一个、或许多个,或几个IC。
通过涉及到在基板上沉积、图案化,及去除材料的程序在基板(例如,硅晶片)上制造半导体装置。
沉积工艺(例如,化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD))可被使用以在基板上沉积材料层。
光刻技术可被使用以在材料层上产生图案而控制将发生蚀刻、沉积,或注入的位置。
蚀刻工艺可被使用以去除沉积层的部分,以使得其他的材料可被沉积在去除的部分中。
离子注入工艺可被使用以通过物理轰击并将掺杂物注入沉积层来改变沉积的材料层的特性。
通过使用这些工艺步骤中的各个工艺步骤,在基板上形成半导体装置(因此在基板上形成集成电路)。
在制造IC中,专用的处理腔室被循序地使用以执行用来建构半导体装置和IC所需要的步骤。对于复杂的集成电路而言,数百个单独的工艺步骤可能涉及到建构和互相连接底层的半导体装置中的所有。
为了简化制造工艺,处理腔室可被集成至群集工具,以使得不同的工艺步骤可被循序地和有效地执行,其中使用比单独的腔室更少的工厂空间,并且从工艺步骤至工艺步骤需要较小的距离来传送晶片。
群集工具通过将数个不同的处理腔室“集聚(clustering)”至一个平台中来提供制工艺列集成。
通过使用群集工具,可以在同一平台上循序地进行不同的工艺,而不需要破坏在处理环境中的压力密封。因此,可能发生不希望的污染的机会较少。
此外,可能节省涉及到完全地将腔室排空、将基板从单独的腔室移动至单独的腔室,然后抽空每一后续的腔室以达到必要的真空度而进行下一个工艺列的一些或全部的时间。
由于制造工艺的复杂性,经常检查基板以确保工艺步骤被适当地执行并且基板合理地没有缺陷(优选地尽可能没有缺陷的)。
通常将处理腔室设计和建构为满足制造底板的尺寸(dimensional footprint)的要求,半导体制造工具位于制造底板上。然而,对于检查系统没有类似的要求,并且传统的测量/检查系统通常可能为相对笨重的,并且可能具有相对大的尺寸。
因而,检查系统通常未被集成至群集工具,而是与群集工具分开。从而,可被集成至群集工具的评估腔室会进一步地简化用于集成电路的制造工艺。
具有允许与处理工具,或处理控制工具相连接或相集成的有效和相对小的尺寸、小型的测量/检查系统通过处理和接收实时的高分辨率的图像数据来实现较佳的控制回路的需要。此设备亦为用于移动基板的无污染的系统。
发明内容
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造