[发明专利]用于制造多个激光二极管的方法和激光二极管有效
申请号: | 201880050276.7 | 申请日: | 2018-07-26 |
公开(公告)号: | CN110945726B | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | J.布吕克纳;S.格哈德 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01S5/02 | 分类号: | H01S5/02;H01S5/22 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张涛;刘春元 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 激光二极管 方法 | ||
说明了一种用于制造多个激光二极管(1)的方法,具有以下方法步骤:▪在复合体(20)中提供多个激光条(2),其中每个激光条(2)包括并排布置的多个激光二极管元件(3),并且所述激光二极管元件(3)具有公共衬底(4)并且分别具有布置在所述衬底(4)上的半导体层序列(5),以及其中在分别于两个相邻激光条(2)之间延伸的纵向分离平面(y‑y’)上划分所述复合体(20)导致构造出要制造的激光二极管(1)的激光刻面(1C),▪在至少一个纵向分离平面(y‑y')上对所述复合体(20)进行结构化,其中在所述衬底(4)中产生结构化区域(8)。此外说明了一种可以使用该方法来制造的激光二极管(1)。
技术领域
说明了一种用于制造多个激光二极管的方法。特别地,所述激光二极管由在复合体中存在的多个激光条分离出。此外,说明了可以使用所述方法制造的激光二极管。
背景技术
一种用于分离布置在复合体中的激光条的可能的方法是折断所述激光条。在此,优选地,有针对性地在用于所述激光条的材料的晶体平面上折断该复合体,以便由此构造出要制造的激光二极管的激光刻面。折断面理想地是原子光滑的,以便具有适于激光运行的低的粗糙度和足够的光学反射率。
然而,激光刻面的构造是一种技术上的挑战,因为各种因素(例如,折断工艺的类型、所引入的凹口处的折断的初始化以及激光条复合体的整体和局部应力关系)会影响所述激光刻面的质量。例如,在不利的应力关系下,激光刻面上会出现晶体台阶,这些晶体台阶一方面使反射率变差并导致光输出降低,另一方面代表了质量风险,因为这些晶体台阶可能导致自发性故障。但是,激光条复合体的基本结构变化可能不能容易地进行,因为所述结构变化一方面可能会影响所述折断,另一方面可能会影响最终激光二极管的功能。
发明内容
本申请的任务是说明一种用于制造多个激光二极管的改进方法。该任务尤其通过具有独立方法权利要求的特征的制造方法来加以解决。
本申请的另一个任务是说明一种具有改善的质量的激光二极管。该任务尤其通过具有独立产品权利要求的特征的激光二极管来加以解决。
所述制造方法和所述激光二极管的有利扩展是从属权利要求的主题。
根据至少一个实施方式,用于制造多个激光二极管的所述方法具有以下方法步骤:
-在复合体中提供多个激光条,其中每个激光条包括并排布置的多个激光二极管元件,并且这些激光二极管元件具有共同的衬底,并且分别具有布置在所述衬底上的半导体层序列,并且其中分别在于两个相邻的激光条之间延伸的纵向分离平面上划分所述复合体导致构造出要制造的激光二极管的激光刻面,
-在至少一个纵向分离平面上对所述复合体进行结构化,其中在所述衬底中产生结构化区域。
在此,上述方法步骤按说明的顺序执行。
通过对所述衬底的结构化可以有利地避免对激光器设计的基本干预,所述衬底对于光学反射率而言不如所述半导体层序列重要。
在复合体中提供多个激光条优选地包括提供衬底和包括多个半导体层的半导体层序列。优选对所述半导体层序列进行结构化,使得可以向每个激光二极管元件分配半导体层序列。
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