[发明专利]用于制造多个激光二极管的方法和激光二极管

权利要求书

1.一种用于制造多个激光二极管（1）的方法，具有以下方法步骤：

-在复合体（20）中提供多个激光条（2），其中每个激光条（2）包括并排布置的多个激光二极管元件（3），并且所述激光二极管元件（3）具有共同的衬底（4）并且分别具有布置在所述衬底（4）上的半导体层序列（5），以及其中在分别于两个相邻激光条（2）之间延伸的纵向分离平面（y-y’）上划分所述复合体（20）导致构造出要制造的激光二极管（1）的激光刻面（1C），

-在至少一个纵向分离平面（y-y’）上对所述复合体（20）进行结构化，其中在所述衬底（4）中产生结构化区域（8），以及其中所述结构化区域（8）具有沿着所述纵向分离平面（y-y’）连续延伸的凹陷（9），所述凹陷（9）具有沿着所述纵向分离平面（y-y’）交替布置的不同深度（T1，T2）的区域（9A，9B）。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述连续延伸的凹陷（9）具有棱柱或半圆柱形的形状。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，较深的区域（9B）的宽度（B2）分别大于所述激光二极管元件（3）的宽度（B）。

4.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中，所述连续延伸的凹陷（9）具有组合形状，所述组合形状由一个较大的子区域（90）和与所述较大的子区域（90）邻接的多个较小的子区域（91）组成，其中所述较小的子区域（91）在竖直方向（V）上跟随所述较大的子区域（90）。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述较大的子区域（90）具有棱柱的形状。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述较大的子区域（90）具有长方体的形状。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，所述较小的子区域（91）具有棱柱、棱锥或半球的形状。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述较小的子区域（91）具有长方体的形状。

9.根据权利要求4所述的方法，其中，所述较小的子区域（91）的宽度（B2）分别大于所述激光二极管元件（3）的宽度（B）。

10.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中，所述结构化区域（8）从所述衬底（4）的背向所述半导体层序列（5）的表面出发延伸到所述衬底（4）中。

11.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中，所述结构化区域（8）至少部分地穿透所述衬底（4）。

12.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中，所述结构化是借助于激光蚀刻来进行的。

13.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中将所述复合体（20）分离成多个激光二极管（1）通过在所述纵向分离平面（y-y’）上和横向于所述纵向分离平面（y-y’）延伸的横向分离平面（x-x’）上折断所述复合体（20）来进行。

14.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中，在所述复合体（20）中，在所述纵向分离平面（y-y’）上的与所述衬底（4）相对的一侧上产生分离位置（11A），所述分离位置被设置用于有针对性地划分所述复合体（20）。