[发明专利]固态摄像器件及电子设备在审
申请号: | 201880049301.X | 申请日: | 2018-05-22 |
公开(公告)号: | CN110959194A | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 西藤洋将;岛田翔平 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 乔焱;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 摄像 器件 电子设备 | ||
[问题]为了提供一种其中暗电流影响被降低的固态摄像器件及电子设备。[解决方案]该固态摄像器件包括:以矩阵形式布置的多个第一像素单元,各个第一像素单元具有一个像素和设置在所述一个像素上的一个片上透镜;至少一个第二像素单元,其布置在第一像素单元矩阵内,并且具有两个像素和以跨过两个像素的方式设置的一个片上透镜;像素分离层,其分离分别属于来自第一像素单元和第二像素单元的像素的光电转换层;以及至少一个触点,设置在第二像素单元的区域内或与该区域相邻的像素分离层的下方,并将像素分离层连接至基准电位配线。第二像素单元隔着预定的间隔布置在沿第一像素单元矩阵的第一方向延伸的至少一行中。
技术领域
本发明涉及一种固态摄像器件及电子设备。
背景技术
近年来,对固态摄像器件存在进一步小型化和更高图像质量的需求。固态摄像器件例如通过在平面型半导体基板上以矩阵形式布置诸如光电二极管等光电转换元件而构成。
这里,各光电转换元件通过组合p型半导体和n型半导体而构成,且像素中的光电转换元件通过被固定至基准电位的像素分离层而彼此分离开。然而,在这类固态摄像器件中,由于将像素分离层连接到基准电位线(例如,接地线)的触点附近的暗电流增加,因此暗信号会增加。
例如,下面的专利文献1公开了一种固态摄像器件,该固态摄像器件包括来自摄像对象的光进入的有效像素部和遮挡光的遮光像素部,且从有效像素部的信号中减去遮光像素部的信号以获取去除了暗电流影响的信号
引用列表
专利文献
专利文献1:JP 2008-236787 A
发明内容
技术问题
然而,上述专利文献1中公开的固态摄像器件没有减小所产生的暗电流的绝对大小。此外,在专利文献1中公开的固态摄像器件中,与将像素分离层连接到基准电位的触点相邻的像素和不与该触点相邻的像素之间的暗电流大小存在差异,这导致在暗部中出现条纹状的图像质量下降。
因此,需要一种能够减小固态摄像器件中的暗电流大小和因将像素分离层固定至基准电位的触点而产生的像素间差异的技术。
技术方案
根据本发明,提供了一种固态摄像器件,其包括:多个第一像素单元,其以矩阵形式布置,各个所述第一像素单元具有一个像素和设置在所述一个像素上的一个片上透镜;至少一个第二像素单元,其具有两个像素和跨所述两个像素设置的一个片上透镜,并且布置在所述第一像素单元的矩阵内;像素分离层,其将所述第一像素单元和所述第二像素单元的各个像素中包括的光电转换层分别分离开;以及至少一个触点,其存在于所述第二像素单元的区域内,或者设置在与所述第二像素单元的所述区域相邻的所述像素分离层的下方,并且将所述像素分离层连接到基准电位配线,其中,所述第二像素单元以预定的间隔布置在沿着所述第一像素单元的所述矩阵的第一方向延伸的至少一行中。
此外,根据本发明,提供了一种电子设备,其包括以电子方式对摄像对象进行拍摄的固态摄像器件,所述固态摄像器件包括:多个第一像素单元,其以矩阵形式布置,各个所述第一像素单元具有一个像素和设置在所述一个像素上的一个片上透镜;至少一个第二像素单元,其具有两个像素和跨所述两个像素设置的一个片上透镜,并且布置在所述第一像素单元的矩阵内;像素分离层,其将所述第一像素单元和所述第二像素单元的各个像素中包括的光电转换层分别分离开;以及至少一个触点,其存在于所述第二像素单元的区域内,或者设置在与所述第二像素单元的所述区域相邻的所述像素分离层的下方,并且将所述像素分离层连接到基准电位配线,其中,所述第二像素单元以预定的间隔布置在沿着所述第一像素单元的所述矩阵的第一方向延伸的至少一行中。
根据本发明,可以以适当的密度布置将用于分离光电转换元件的像素分离层固定至基准电位的触点。另外,可以降低触点周围增加的暗电流对所拍摄图像的图像质量的影响。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的