[发明专利]层叠型元件的制造方法

说明书

层叠型元件的制造方法具备：第1形成工序，对于第1晶圆的半导体基板，沿着切断预定线照射激光，由此，沿着切断预定线形成第1改质区域；第1研磨工序，研磨第1晶圆的半导体基板；接合工序，将第2晶圆的电路层接合于第1晶圆的半导体基板；第2形成工序，对于第2晶圆的半导体基板，沿着切断预定线照射激光，由此，沿着切断预定线形成第2改质区域；及第2研磨工序，研磨第2晶圆的半导体基板。

技术领域

本公开涉及一种层叠型元件的制造方法。

背景技术

在专利文献1中记载有切断半导体晶圆的方法。在该方法中，在半导体晶圆被吸附保持于工作盘(chuck table)的状态下，一边使工作盘往复移动，一边使高速旋转的切削刀片下降，切削半导体晶圆的迹道(street)。半导体晶圆通过对所有迹道进行上述的切削而被划片，分割成各个半导体芯片。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-013312号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

然而，目前例如在DRAM(动态随机存储器，Dynamic Random Access Memory)这样的半导体存储器的领域中，正在进行层叠多个元件而构成的层叠型元件的开发，并期待实现层叠型元件的薄化及产量的提升这两者。

因此，本公开其目的在于提供一种可以兼顾层叠型元件的薄化及产量的提升的层叠型元件的制造方法。

用于解决技术问题的手段

本公开的一方面的层叠型元件的制造方法具备：第1形成工序，准备第1晶圆作为具备具有表面及背面的半导体基板、和包含沿着表面二维状排列的多个功能元件的电路层的半导体晶圆，对于第1晶圆的所述半导体基板，沿着被设定成通过功能元件之间的切断预定线照射激光，由此，沿着切断预定线形成第1改质区域；第1研磨工序，在第1形成工序之后，研磨第1晶圆的半导体基板；接合工序，在第1研磨工序之后，准备第2晶圆作为半导体晶圆，以使第1晶圆的各个功能元件与第2晶圆的各个功能元件相互对应的方式，将第2晶圆的电路层接合于第1晶圆的半导体基板；第2形成工序，在接合工序之后，对于第2晶圆的半导体基板，沿着切断预定线照射激光，由此，沿着切断预定线形成第2改质区域；及第2研磨工序，在第2形成工序之后，研磨第2晶圆的半导体基板。

在该层叠型元件的制造方法中，通过重复第1晶圆的半导体基板的研磨、第2晶圆的电路层接合于第1晶圆的半导体基板、第2晶圆的半导体基板的研磨这样的流程，可以在各半导体基板被薄化的状态下，获得层叠有多个半导体晶圆的层叠体。而且，通过在研磨各半导体基板之前，在各半导体基板的内部形成改质区域，可以获得在各半导体基板的内部形成有改质区域的层叠体。在此，如果将刀片划片用于如上所述的层叠体的切断，则由于半导体晶圆的接合界面的碎屑而产量的下降变得显著。对此，该层叠型元件的制造方法通过使龟裂从形成于各半导体基板的内部的改质区域开始伸展，从而可以抑制半导体晶圆的接合界面的碎屑并且切断层叠体。因此，根据该层叠型元件的制造方法，可以兼顾层叠型元件的薄化及产量的提升。

本公开的一方面的层叠型元件的制造方法中，在第1形成工序中，也可以形成从第1改质区域伸展至第1晶圆的电路层侧的第1龟裂。由此，可以沿着切断预定线，精度良好且容易地切断层叠体。

本公开的一方面的层叠型元件的制造方法中，在第1研磨工序中，也可以去除第1改质区域，使第1龟裂露出于第1晶圆的半导体基板的背面。由此，由于第1改质区域不残留于所制造的层叠型元件的切断面，因此，可以抑制层叠型元件的抗弯强度的下降。

本公开的一方面的层叠型元件的制造方法中，在第2形成工序中，也可以形成从第2改质区域伸展至第2晶圆的电路层侧的第2龟裂。由此，可以沿着切断预定线，精度良好且容易地切断层叠体。