[发明专利]层叠型元件的制造方法

权利要求书

1.一种层叠型元件的制造方法，其中，

具备：

第1形成工序，准备第1晶圆作为具备具有表面及背面的半导体基板、和包含沿着所述表面二维状排列的多个功能元件的电路层的半导体晶圆，对于所述第1晶圆的所述半导体基板，沿着被设定成通过所述功能元件之间的切断预定线照射激光，由此，沿着所述切断预定线形成第1改质区域；

第1研磨工序，在所述第1形成工序之后，研磨所述第1晶圆的所述半导体基板；

接合工序，在所述第1研磨工序之后，准备第2晶圆作为所述半导体晶圆，以使所述第1晶圆的各个所述功能元件与所述第2晶圆的各个所述功能元件相互对应的方式，将所述第2晶圆的所述电路层接合于所述第1晶圆的所述半导体基板；

第2形成工序，在所述接合工序之后，对于所述第2晶圆的所述半导体基板，沿着所述切断预定线照射激光，由此，沿着所述切断预定线形成第2改质区域；及

第2研磨工序，在所述第2形成工序之后，研磨所述第2晶圆的所述半导体基板。

2.如权利要求1所述的层叠型元件的制造方法，其中，

在所述第1形成工序中，形成从所述第1改质区域伸展至所述第1晶圆的所述电路层侧的第1龟裂。

3.如权利要求2所述的层叠型元件的制造方法，其中，

在所述第1研磨工序中，去除所述第1改质区域，使所述第1龟裂露出于所述第1晶圆的所述半导体基板的所述背面。

4.如权利要求1～3中任一项所述的层叠型元件的制造方法，其中，

在所述第2形成工序中，形成从所述第2改质区域伸展至所述第2晶圆的所述电路层侧的第2龟裂。

5.如权利要求4所述的层叠型元件的制造方法，其中，

在所述第2形成工序中，以到达所述第1晶圆的所述半导体基板与所述第2晶圆的所述电路层的界面的方式，形成所述第2龟裂。

6.如权利要求4或5所述的层叠型元件的制造方法，其中，

在所述第2研磨工序中，去除所述第2改质区域，使所述第2龟裂露出于所述第2晶圆的所述半导体基板的所述背面。

7.一种层叠型元件的制造方法，其中，

具备：

第1研磨工序，准备第1晶圆作为具备具有表面及背面的半导体基板、和包含沿着所述表面二维状排列的多个功能元件的电路层的半导体晶圆，研磨所述第1晶圆的所述半导体基板；

接合工序，在所述第1研磨工序之后，准备第2晶圆作为所述半导体晶圆，以使所述第1晶圆的各个所述功能元件与所述第2晶圆的各个所述功能元件相互对应的方式，将所述第2晶圆的所述电路层接合于所述第1晶圆的所述半导体基板；

形成工序，在所述接合工序之后，对于所述第2晶圆的所述半导体基板，沿着被设定成通过所述功能元件之间的切断预定线照射激光，由此，沿着所述切断预定线形成改质区域；及

第2研磨工序，在所述形成工序之后，研磨所述第2晶圆的所述半导体基板。

8.如权利要求7所述的层叠型元件的制造方法，其中，

在所述形成工序中，形成从所述改质区域伸展至所述第2晶圆的所述电路层侧的龟裂。

9.如权利要求8所述的层叠型元件的制造方法，其中，

在所述形成工序中，以到达所述第1晶圆的所述电路层与所述第1晶圆的所述半导体基板的界面的方式，形成所述龟裂。

10.如权利要求8或9所述的层叠型元件的制造方法，其中，

在所述第2研磨工序中，去除所述改质区域，使所述龟裂露出于所述第2晶圆的所述半导体基板的所述背面。

11.如权利要求1～10中任一项所述的层叠型元件的制造方法，其中，

还具备：拾取工序，在所述第2研磨工序之后，拾取通过沿着所述切断预定线切断所述第1晶圆及所述第2晶圆所获得的多个层叠型元件。