[发明专利]电容器

说明书

本发明的目的在于提供抑制保护层电容，且即使在高温时、高湿度时也具有较高的Q值的电容器。本发明的一侧面所涉及的电容器具备：基板；下部电极，形成在基板上；介电膜，形成在下部电极上；上部电极，形成在介电膜上的局部；保护层，覆盖下部电极以及上部电极；以及外部电极，贯通保护层，在从上方观察电容器的俯视时，外部电极仅形成在被上部电极的周缘划定的区域内。

技术领域

本发明涉及电容器。

背景技术

作为半导体集成电路所使用的典型电容器元件，例如已知有MIM(MetalInsulator Metal：金属绝缘体金属)电容器。MIM电容器是具有由下部电极和上部电极夹着绝缘体的平行平板型的结构的电容器。

例如在专利文献1公开了提供防止绝缘特性以及漏电电流特性的劣化的薄膜MIM电容器的技术。专利文献1所记载的薄膜MIM电容器具有基板、形成在该基板上的由贵金属构成的下部电极、形成在该下部电极上的电介质层薄膜、以及形成在该电介质薄膜上的由贵金属构成的上部电极。

专利文献1：日本特开2010－109014号公报

电容器具备用于使上部电极以及下部电极与外部电连接的外部电极。然而，在外部电极超过上部电极的形成区域延伸的情况下，有外部电极与下部电极接近，隔着保护层(也称为层间膜)电容耦合的情况。其结果，产生与由上部电极、介电膜、下部电极构成的真实电容并联连接的由外部电极、保护层、下部电极构成的寄生电容。在本申请说明书中，将该寄生电容称为保护层电容。

例如在RF电路内的要求Q值的电容器中，由于有保护层电容，而在电容器产生不需要的寄生电容，成为使电容器的Q值降低的主要原因。另外，该保护层电容由于高温时、高湿时的保护层材料的物性变化而变动，所以成为电容器的Q值变动的主要原因。

发明内容

本发明是鉴于这样的情况而完成的，目的在于提供能够抑制保护层电容，且即使在高温时、高湿度时也具有较高的Q值的电容器。

本发明的一侧面所涉及的电容器具备：基板；下部电极，形成在上述基板上；介电膜，形成在上述下部电极上；上部电极，形成在上述介电膜上的局部；保护层，覆盖上述下部电极以及上述上部电极；以及外部电极，贯通上述保护层，在从上方观察电容器的俯视时，上述外部电极仅形成在被上述上部电极的周缘划定的区域内。

根据本发明，能够提供抑制保护层电容，且即使在高温时、高湿度时也具有较高的Q值的电容器。

附图说明

图1是第一实施方式所涉及的电容器的俯视图。

图2是第一实施方式所涉及的电容器的剖视图。

图3是比较例的电容器的剖视图。

图4是第一实施方式所涉及的电容器的工序剖视图。

图5是第一实施方式所涉及的电容器的工序剖视图。

图6是第一实施方式所涉及的电容器的工序剖视图。

图7是第一实施方式所涉及的电容器的工序剖视图。

图8是第一实施方式所涉及的电容器的工序剖视图。

图9是第一实施方式所涉及的电容器的工序剖视图。

图10是第二实施方式所涉及的电容器的俯视图。

图11是第二实施方式所涉及的电容器的剖视图。

图12是第三实施方式所涉及的电容器的俯视图。

图13是第三实施方式所涉及的电容器的剖视图。

图14是表示由第三实施方式所涉及的电容器形成的电容的剖视图。