[发明专利]电容器有效
申请号: | 201880048521.0 | 申请日: | 2018-07-11 |
公开(公告)号: | CN110959188B | 公开(公告)日: | 2023-10-03 |
发明(设计)人: | 原田真臣;泉谷淳子;香川武史;松原弘 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01L27/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王玮;张丰桥 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容器 | ||
1.一种电容器,具备:
基板;
下部电极,形成在上述基板上;
介电膜,形成在上述下部电极上;
上部电极,形成在上述介电膜上的局部;
保护层,覆盖上述下部电极以及上述上部电极;以及
外部电极,贯通上述保护层,
在从上方观察电容器的俯视时,上述外部电极仅形成在被上述上部电极的周缘划定的区域内。
2.根据权利要求1所述的电容器,其中,
上述上部电极具备第一上部电极以及第二上部电极,上述第一上部电极与上述第二上部电极分开形成
上述外部电极具备:与上述第一上部电极连接的第一外部电极、以及与上述第二上部电极连接的第二外部电极,
上述第一外部电极仅形成在被上述第一上部电极的周缘划定的区域内,
上述第二外部电极仅形成在被上述第二上部电极的周缘划定的区域内。
3.根据权利要求2所述的电容器,其中,
上述下部电极具备第一下部电极以及第二下部电极,上述第一下部电极与上述第二下部电极分开形成,
上述上部电极具备:形成在上述第一下部电极上的上述第一上部电极、形成在上述第二下部电极上的上述第二上部电极、以及跨上述第一下部电极以及上述第二下部电极形成的第三上部电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造