[发明专利]近场用噪声抑制片

说明书

本发明提供μ″色散的上升频率存在于1～10MHz、且μ″色散分布至GHz频带的阻燃性的近场用噪声抑制片。本发明的近场用噪声抑制片，其特征在于，包含由有机物构成的基材、承载于基材中的扁平状的合金粉末、以及分散在基材中的阻燃剂，上述合金粉末为Fe_{100‑X1‑Y1}(Si,P,C)_X1Cu_Y1的合金粉末(16≤X1+Y1≤24、14.5≤X1≤24且0≤Y1≤1.5)和/或Fe_{100‑X2‑Y2}(Si,B,C)_X2Cu_Y2的合金粉末(16≤X2+Y2≤24、14.5≤X2≤24且0≤Y2≤1.5)，其相结构仅由非晶质相构成，或者由非晶质相和以α‑Fe为主体的结晶相混合存在的相构成，阻燃剂的平均粒径为10μm以下，近场用噪声抑制片的密度为2.5g/cm³以上。

技术领域

本发明涉及用于抑制电子设备、通信设备的多余的辐射电波(噪声)的近场用噪声抑制片。

背景技术

近年来，伴随着电子设备、通信设备的小型化和轻量化，装配于电子电路的部件的安装密度变高。因此，由于电子部件辐射的电波噪声产生如下问题，即在电子部件彼此间或电子电路彼此间产生电波干扰、磁场耦合而引起电子设备、通信设备的误动作。

为了防止该问题，在设备等安装近场用噪声抑制片(以下也称作“噪声抑制片”。)，其能够将多余的辐射电波(噪声)转换成热，防止不需要的磁场耦合。该噪声抑制片的厚度为0.05mm～2mm，因此能够插入到电子部件、电子电路附近，加工容易且形状自由度也高。因此，噪声抑制片能够适应电子设备、通信设备的小型化和轻量化，被广泛地用作电子设备、通信设备的应对噪声的部件。

典型的噪声抑制片由加工成扁平状的软磁性合金粉末和有机粘结剂构成，通过由软磁性合金粉末的磁共振引起的磁损耗来得到噪声抑制效果。由此，噪声抑制片的噪声抑制性能取决于噪声抑制片所包含的软磁性合金粉末的磁导率。通常，磁导率使用实部磁导率μ′和虚部磁导率μ″以复数磁导率μ＝μ′-j·μ″表示，在像噪声抑制片这样利用磁损耗的情况下，虚部磁导率μ″变得重要。即，虚部磁导率μ″在想要吸收的电波噪声的整个频带(以下也称作“目标频带”。)进行分布至关重要。以下，在本说明书中，将虚部磁导率μ″相对于频率的分布称作“μ″色散”。就μ″色散而言，μ″值、分布根据噪声抑制片所包含的软磁性合金粉末的材质和形状而不同。因此，为了提高噪声抑制的效果，需要选择适于目标频带的噪声抑制片。

例如，在使用了所谓的铁硅铝组成的以Fe-Si-Al系合金为代表的扁平状的软磁性合金粉末的噪声抑制片中，目标频带为较低的kHz～MHz带，随着频率变高磁导率降低。尤其是在GHz频带中，μ″值实质上接近1，因此不能发挥噪声抑制效果。对此，在专利文献1、2中提出了包含铁硅铝组成的扁平状的软磁性合金粉末和碳粉末的噪声抑制片。即，在频率低的频带利用由软磁性合金粉末引起的磁损耗，在频率高的频带利用由碳粉末引起的介电损耗，由此使目标频带成为宽频带。