[发明专利]近场用噪声抑制片

权利要求书

1.一种近场用噪声抑制片，其特征在于，包含由有机物构成的基材、承载于所述基材中的扁平状的合金粉末、以及分散在所述基材中的阻燃剂，

以原子％计，所述合金粉末为以组成式：Fe_100-X1-Y1(Si,P,C)_X1Cu_Y1表示的合金粉末和/或以组成式：Fe_100-X2-Y2(Si,B,C)_X2Cu_Y2表示的合金粉末，其中，16≤X1+Y1≤24、14.5≤X1≤24且0≤Y1≤1.5，16≤X2+Y2≤24、14.5≤X2≤24且0≤Y2≤1.5，

所述合金粉末的相结构仅由非晶质相构成，或者由非晶质相和以α-Fe为主体的结晶相混合存在的相构成，

所述阻燃剂的平均粒径为10μm以下，

所述近场用噪声抑制片的密度为2.5g/cm³以上，

在所述近场用噪声抑制片的μ″色散的上升中，μ″值成为1以上的频率为1MHz以上且10MHz以下，且在10GHz处的μ″值为2以上。

2.根据权利要求1所述的近场用噪声抑制片，其中，所述合金粉末满足19≤X1+Y1≤21、18≤X1≤21且0≤Y1≤1.0和/或19≤X2+Y2≤21、18≤X2≤21且0≤Y2≤1.0。

3.根据权利要求1或2所述的近场用噪声抑制片，其中，所述合金粉末的矫顽力为0.5A/cm以上且8A/cm以下。

4.根据权利要求1或2所述的近场用噪声抑制片，其中，所述阻燃剂为选自氢氧化铝、氢氧化镁、硼酸锌、氰脲酸三聚氰胺和红磷中的1种以上的非卤系阻燃剂。

5.根据权利要求1或2所述的近场用噪声抑制片，其中，在所述合金粉末中，3原子％以下的所述Fe被选自Al、Co、Ni、Cr、Nb、Mo、Ta和W中的1种以上的元素置换。

6.根据权利要求1或2所述的近场用噪声抑制片，其中，所述合金粉末的长径比的平均值为10以上且100以下。

7.根据权利要求1或2所述的近场用噪声抑制片，其中，所述合金粉末的厚度的平均值为0.1μm以上且1.5μm以下。

8.根据权利要求1或2所述的近场用噪声抑制片，其中，所述近场用噪声抑制片的表面电阻为10⁵Ω/□以上。

9.根据权利要求1或2所述的近场用噪声抑制片，其中，所述基材不包含卤族元素。

10.根据权利要求1或2所述的近场用噪声抑制片，其中，所述噪声抑制片包含选自硅系、钛系、铝系和锆系中的1种以上的氧化物，所述氧化物的粒径为100nm以下。