[发明专利]基板处理设备的气体分配设备、基板处理设备及基板处理方法

说明书

本发明涉及基板处理设备的气体分配设备、基板处理设备以及基板处理方法。该气体分配设备包括：第一气体分配模块，所述第一气体分配模块用于将处理气体分配到第一气体分配空间；以及第二气体分配模块，所述第二气体分配模块用于将处理气体分配到与所述第一气体分配空间不同的第二气体分配空间。

技术领域

本发明涉及一种在基板上进行诸如沉积薄膜的沉积工艺等的基板处理工艺的基板处理设备。

背景技术

通常，应该在基板上形成薄膜层、薄膜电路图案或光学图案以制造太阳能电池、半导体装置、平板显示装置等。为此，执行半导体制造工艺，半导体制造工艺的示例包括在基板上沉积包括规定材料的薄膜的薄膜沉积工艺、通过使用光敏材料使薄膜的一部分选择性地曝光的感光工艺、去除薄膜的选择性曝光部分以形成图案的蚀刻工艺等。

图1是现有技术的基板处理设备的概念性侧视图。

参照图1，现有技术的基板处理设备10包括基板支撑单元11和气体分配单元12。

基板支撑单元11支撑基板S。基板支撑单元11绕旋转轴11a旋转以使基板S相对于旋转轴11a旋转。

气体分配单元12朝向基板支撑单元11分配处理气体。气体分配单元12朝向由基板支撑单元11支撑的基板S分配处理气体，从而执行在基板S上沉积薄膜的处理工艺。

这里，在现有技术的基板处理设备10中，基于基板支撑单元11的旋转产生的离心力作用在由气体分配单元12分配的处理气体上。因此，薄膜被相对较薄地沉积在基板S的内部中。基板S的内部是在从基板S到基板支撑单元11的旋转轴11a的方向上设置的部分。

为此，在现有技术的基板处理设备10中，由于薄膜被相对较薄地沉积在基板S的内部中，因此沉积在基板S上的薄膜的均匀性降低，导致已经过所述处理工艺的基板的质量下降。

发明内容

技术问题

本发明旨在解决上述问题，并且提供能够降低薄膜被相对较薄地沉积在基板的内部的程度、用于基板处理设备的气体分配设备、基板处理设备以及基板处理方法。

技术方案

为了实现上述目的，本发明可以包括下述部件。

根据本发明的基板处理设备的气体分配设备可以包括：第一气体分配模块，所述第一气体分配模块将第一气体分配到第一气体分配空间；第二气体分配模块，所述第二气体分配模块将处理气体分配到与第一气体分配空间不同的第二气体分配空间；以及第三气体分配模块，所述第三气体分配模块将第二气体分配到与第一气体分配空间和第二气体分配空间中的每一者不同的第三气体分配空间。当第一气体分配模块分配第一气体时，第二气体分配模块可以将第一气体分配到第二气体分配空间，并且，当第三气体分配模块分配第二气体时，第二气体分配模块可以将第二气体分配到第二气体分配空间。

根据本发明的基板处理设备的气体分配设备可以包括：第一气体分配模块，所述第一气体分配模块将处理气体分配到第一气体分配空间；第二气体分配模块，所述第二气体分配模块将处理气体分配到与第一气体分配空间不同的第二气体分配空间。当第一气体分配模块将处理气体分配到第一气体分配空间时，第二气体分配模块可以将与由第一气体分配模块分配的处理气体相同的处理气体分配到第二气体分配空间。