[发明专利]激光照射装置、投影掩模、激光照射方法及程序在审
| 申请号: | 201880045445.8 | 申请日: | 2018-07-25 |
| 公开(公告)号: | CN110914956A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
| 发明(设计)人: | 水村通伸 | 申请(专利权)人: | 株式会社V技术 |
| 主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/20;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 洪秀川 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 激光 照射 装置 投影 方法 程序 | ||
本发明的一实施方式的激光照射装置的特征在于,具备:光源,其产生激光;及投影透镜,其对于基板上被覆的非晶硅薄膜的规定的区域照射该激光,该投影透镜包括:第一投影透镜,其对于该规定的区域中的与薄膜晶体管的沟道区域对应的第一区域照射该激光;及第二投影透镜,其对于该规定的区域中的与栅极驱动器包含的规定的元件对应的第二区域照射该激光。
技术领域
本发明涉及薄膜晶体管的形成,特别是涉及向非晶硅薄膜照射激光而用于形成多晶硅薄膜的激光照射装置、投影掩模、激光照射方法及程序。
背景技术
存在有如下的技术:在TFT面板的图像显示区域,通过利用激光将非晶硅薄膜的规定的区域瞬间地加热而进行多晶体化,形成电子迁移率高的多晶硅薄膜,从而将该多晶硅薄膜使用于薄膜晶体管的沟道区域。
例如,专利文献1公开了如下情况:在玻璃基板上形成非晶硅薄膜,然后,对该非晶硅薄膜照射准分子激光器等的激光而进行激光退火,由此,进行通过短时间内的熔融凝固而晶体化为多晶硅薄膜的处理。专利文献1记载了通过进行该处理,能够使薄膜晶体管的源极与漏极之间的沟道区域成为电子迁移率高的多晶硅薄膜,从而能够实现晶体管动作的高速化的内容。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2016-100537号公报
发明内容
发明概要
发明要解决的课题
在此,在TFT面板中,作为对图像显示区域的薄膜晶体管进行驱动用的驱动电路,成为栅极驱动器。关于这一点,通过专利文献1记载的技术而制造的TFT面板需要在制作图像显示区域之后外置栅极驱动器,相应地成为该TFT面板的制造成本增加的原因。
本发明的目的鉴于上述的问题点而作出,提供一种在TFT面板中不需要外置栅极驱动器,由此能够降低该TFT面板的制造成本的激光照射装置、投影掩模、激光照射方法及程序。
用于解决课题的方案
本发明的一实施方式的激光照射装置的特征在于,具备:光源,其产生激光;及投影透镜,其对于基板上被覆的非晶硅薄膜的规定的区域照射该激光,该投影透镜包括:第一投影透镜,其对于该规定的区域中的与薄膜晶体管的沟道区域对应的第一区域照射该激光;及第二投影透镜,其对于该规定的区域中的与栅极驱动器包含的规定的元件对应的第二区域照射该激光。
在本发明的一实施方式的激光照射装置中,其特征在于,该第二投影透镜是对于多个该第二区域照射该激光的微柱面透镜。
在本发明的一实施方式的激光照射装置中,其特征在于,该第二投影透镜使用该微柱面透镜包含的多个柱面透镜,对于多个该第二区域的各个该第二区域照射多次该激光。
在本发明的一实施方式的激光照射装置中,其特征在于,该激光照射装置还具备投影掩模图案,该投影掩模图案配置在该投影透镜上并使该激光以规定的投影图案透过,该投影掩模图案包括与多个该第一区域对应的多个第一开口部、和与该第二区域对应的第二开口部。
在本发明的一实施方式的激光照射装置中,其特征在于,该第一投影透镜是对于该基板包含的多个该第一区域照射该激光的微透镜阵列,该第二投影透镜向该第二区域照射的该激光的照射能量比该第一投影透镜向该第一区域照射的该激光的照射能量大。
本发明的一实施方式的投影掩模是配置在照射从光源产生的激光的投影透镜上的投影掩模图案,其特征在于,包括:多个第一开口部,对于基板上被覆的非晶硅薄膜中的与薄膜晶体管的沟道区域对应的多个第一区域,该多个第一开口部使来自该投影透镜包含的第一投影透镜的该激光透过;及第二开口部,对于该非晶硅薄膜中的与栅极驱动器包含的规定的元件对应的第二区域,该第二开口部使来自该投影透镜包含的第二投影透镜的该激光透过。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





