[发明专利]激光照射装置、投影掩模、激光照射方法及程序在审
| 申请号: | 201880045445.8 | 申请日: | 2018-07-25 |
| 公开(公告)号: | CN110914956A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
| 发明(设计)人: | 水村通伸 | 申请(专利权)人: | 株式会社V技术 |
| 主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/20;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 洪秀川 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 激光 照射 装置 投影 方法 程序 | ||
1.一种激光照射装置,其特征在于,具备:
光源,其产生激光;及
投影透镜,其对于基板上被覆的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光,
所述投影透镜包括:
第一投影透镜,其对于所述规定的区域中的与薄膜晶体管的沟道区域对应的第一区域照射所述激光;及
第二投影透镜,其对于所述规定的区域中的与栅极驱动器所包含的规定的元件对应的第二区域照射所述激光。
2.根据权利要求1所述的激光照射装置,其特征在于,
所述第二投影透镜是对于多个所述第二区域照射所述激光的微柱面透镜。
3.根据权利要求2所述的激光照射装置,其特征在于,
所述第二投影透镜使用所述微柱面透镜所包含的多个柱面透镜,对于多个所述第二区域的各个所述第二区域照射多次所述激光。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的激光照射装置,其特征在于,
所述激光照射装置还具备投影掩模图案,所述投影掩模图案配置在所述投影透镜上并使所述激光以规定的投影图案透过,
所述投影掩模图案包括与多个所述第一区域对应的多个第一开口部、和与所述第二区域对应的第二开口部。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的激光照射装置,其特征在于,
所述第一投影透镜是对于所述基板所包含的多个所述第一区域照射所述激光的微透镜阵列,
所述第二投影透镜向所述第二区域照射的所述激光的照射能量比所述第一投影透镜向所述第一区域照射的所述激光的照射能量大。
6.一种投影掩模,其配置在照射从光源产生的激光的投影透镜上,其特征在于,所述投影掩模包括:
多个第一开口部,对于基板上被覆的非晶硅薄膜中的与薄膜晶体管的沟道区域对应的多个第一区域,该多个第一开口部使来自所述投影透镜所包含的第一投影透镜的所述激光透过;及
第二开口部,对于所述非晶硅薄膜中的与栅极驱动器所包含的规定的元件对应的第二区域,该第二开口部使来自所述投影透镜所包含的第二投影透镜的所述激光透过。
7.根据权利要求6所述的投影掩模,其特征在于,
所述第二投影透镜是能够对于多个所述第二区域照射所述激光的微柱面透镜,
对于多个所述第二区域,所述第二开口部使来自所述微柱面透镜的所述激光透过。
8.一种激光照射方法,其特征在于,包括:
产生激光的产生步骤;及
对于基板上被覆的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光的照射步骤,
在所述照射步骤中,对于所述规定的区域中的与薄膜晶体管的沟道区域对应的第一区域、和与栅极驱动器所包含的规定的元件对应的第二区域照射所述激光。
9.根据权利要求8所述的激光照射方法,其特征在于,
在所述照射步骤中,使用微柱面透镜对于多个所述第二区域的各个所述第二区域照射所述激光。
10.一种程序,其特征在于,使计算机执行:
产生激光的产生功能;及
对于基板上被覆的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光的照射功能,
在所述照射功能中,对于所述规定的区域中的与薄膜晶体管的沟道区域对应的第一区域、和与栅极驱动器所包含的规定的元件对应的第二区域照射所述激光。
11.根据权利要求10所述的程序,其特征在于,
在所述照射功能中,使用微柱面透镜对于多个所述第二区域的各个所述第二区域照射所述激光。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社V技术,未经株式会社V技术许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880045445.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:数字处理连接性
- 下一篇:夹具、夹具组件及其制备和使用方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





