[发明专利]喷墨头、喷墨记录装置以及喷墨头的制造方法有效

专利信息
申请号: 201880045374.1 申请日: 2018-05-30
公开(公告)号: CN110831769B 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 佐藤洋平;下村明久;铃木绫子;江口秀幸;山田晃久 申请(专利权)人: 柯尼卡美能达株式会社
主分类号: B41J2/16 分类号: B41J2/16;B41J2/01;B41J2/14
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 金春实
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 喷墨 记录 装置 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种喷墨头,具备喷嘴基板,该喷嘴基板具有:

基板部,形成有射出墨的喷嘴;

拒液膜基底层,形成于所述基板部的射出面侧,至少在表面具有硅氮化膜或者硅氧氮化膜;以及

拒液膜,形成于所述拒液膜基底层的射出面侧,

所述拒液膜基底层具有所述基板部侧的硅氮化膜和所述射出面侧的硅氧氮化膜。

2.一种喷墨头,具备喷嘴基板,该喷嘴基板具有:

基板部,形成有射出墨的喷嘴;

拒液膜基底层,形成于所述基板部的射出面侧,至少在表面具有硅氮化膜或者硅氧氮化膜;以及

拒液膜,形成于所述拒液膜基底层的射出面侧,

所述拒液膜基底层具有所述基板部侧的硅氧化膜和所述射出面侧的硅氧氮化膜。

3.一种喷墨头,具备喷嘴基板,该喷嘴基板具有:

基板部,形成有射出墨的喷嘴;

拒液膜基底层,形成于所述基板部的射出面侧,至少在表面具有硅氮化膜或者硅氧氮化膜;以及

拒液膜,形成于所述拒液膜基底层的射出面侧,

在所述拒液膜基底层中,调整所述基板部侧的硅氧化膜与所述射出面侧的硅氧氮化膜之间的氮以及氧的浓度梯度。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的喷墨头,其中,

所述墨包含颜料分子。

5.根据权利要求1至3中的任意一项所述的喷墨头,其中,

所述墨是碱性的。

6.根据权利要求1至3中的任意一项所述的喷墨头,其中,

所述拒液膜基底层形成于所述基板部的射出面侧以及所述喷嘴的流路内。

7.根据权利要求1至3中的任意一项所述的喷墨头,其中,

具有形成于所述基板部的所述喷嘴的流路内的流路保护膜。

8.根据权利要求1至3中的任意一项所述的喷墨头,其中,

所述基板部由硅、金属材料或者树脂材料构成。

9.一种喷墨记录装置,具备:

权利要求1至8中的任意一项所述的喷墨头;以及

清洁部,擦除所述拒液膜的射出面侧的墨。

10.一种喷墨头的制造方法,包括:

基板部生成工序,生成具有射出墨的喷嘴的基板部;

拒液膜基底层形成工序,在所述基板部的射出面侧,形成至少在表面具有硅氮化膜或者硅氧氮化膜的拒液膜基底层;

拒液膜形成工序,在所述拒液膜基底层的射出面侧,形成拒液膜而形成喷嘴基板;以及

喷墨头生成工序,生成具备所述喷嘴基板的喷墨头,

在所述拒液膜基底层形成工序中,在所述基板部的射出面侧,形成硅氮化膜,对该硅氮化膜的表面进行追氧化处理而形成所述拒液膜基底层。

11.一种喷墨头的制造方法,包括:

基板部生成工序,生成具有射出墨的喷嘴的基板部;

拒液膜基底层形成工序,在所述基板部的射出面侧,形成至少在表面具有硅氮化膜或者硅氧氮化膜的拒液膜基底层;

拒液膜形成工序,在所述拒液膜基底层的射出面侧,形成拒液膜而形成喷嘴基板;以及

喷墨头生成工序,生成具备所述喷嘴基板的喷墨头,

在所述拒液膜基底层形成工序中,在所述基板部的射出面侧,形成硅氧化膜,对该硅氧化膜的表面进行追氮化处理而形成所述拒液膜基底层。

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