[发明专利]保护件用环

说明书

提供一种将多个硅构件接合而成的保护件用环。在用于对基板进行等离子体处理的基板处理装置的收纳所述基板的处理室内设置的保护件用环(32)，其特征在于，具备3个以上硅构件(34、36、38)、以及将所述硅构件(34、36、38)彼此接合的接合部(39)，所述接合部(39)含有氧化硼。

技术领域

本发明涉及保护件用环。

背景技术

作为LSI等半导体集成器件制造中的基板处理装置，采用利用等离子体的干式蚀刻装置。干式蚀刻装置具有圆筒形状的真空室。作为蚀刻对象的晶圆配置在平面电极的阴极上，在向真空室内导入了蚀刻气体的状态下，通过高频振荡器向对电极(阳极)与阴极之间施加高频电压，由此在电极之间产生蚀刻气体的等离子体。作为等离子体中的活性气体的正离子入射晶圆表面进行蚀刻。

在干式蚀刻装置的真空室内，使用各种环状的构件。作为代表性的环状的构件，有将作为蚀刻对象的晶圆包围的圆环形状的聚焦环、以将载置晶圆的圆柱状的基座的侧面覆盖的方式配置的环状的接地环。另外，还有在对电极的周缘部设置的环状的屏蔽环、将真空室的内壁侧面覆盖的侧壁构件等保护件(专利文献1)。

在干式蚀刻装置的真空室内部，如果使用金属制构件则会发生金属污染，因此优选使用硅制构件。聚焦环、接地环、环状的保护件，其直径需要比作为蚀刻对象的晶圆大。目前主流的300mm晶圆用的硅制构件是由直径为320mm以上的硅晶锭制作的，因此价格昂贵。特别是环状的侧壁构件，直径会达到700mm以上，有时实际上无法由硅晶锭制作。

在先技术文献

专利文献1：日本特开2008-251744号公报

发明内容

硅制构件如果不是一体物，而是能够通过将多个硅构件接合而制造的话，则能够由直径较小的硅晶锭制作，因此可期待制造成本的削减等各种优点。

本发明的目的是提供将多个硅构件接合而成的保护件用环。

本发明涉及的保护件用环，是在用于对基板进行等离子体处理的基板处理装置的收纳所述基板的处理室内设置的保护件用环，其特征在于，具备3个以上硅构件、以及将所述硅构件彼此接合的接合部，所述接合部含有氧化硼。

本发明涉及的保护件用环，是在用于对基板进行等离子体处理的基板处理装置的收纳所述基板的处理室内设置的保护件用环，其特征在于，具备3个以上硅构件、以及将所述硅构件彼此接合的接合部，所述接合部是含有Al、Ga、Ge和Sn中的任一者的与硅的共晶合金，所述硅构件包含2个以上圆弧状硅构件、以及在横跨所述圆弧状硅构件彼此的位置被嵌入的嵌入式硅构件，在所述圆弧状硅构件与所述嵌入式硅构件之间，设有将所述圆弧状硅构件与所述嵌入式硅构件接合的所述接合部。

根据本发明，能够将从比保护件用环的外径小的硅晶锭切取的多个硅构件组合来制造保护件用环。因此，保护件用环不需要使用比保护件用环的外径大的硅晶锭，从而能够相应地降低成本。

附图说明

图1是示意性地表示具备由第1实施方式涉及的保护件用环制作出的硅制零件的干式蚀刻装置的结构的截面图。

图2是表示第1实施方式涉及的保护件用环的立体图。

图3是表示第1实施方式涉及的对接面的截面图。

图4是示意性地表示制造保护件用环的装置的截面图。

图5是表示第1实施方式的变形例的截面图。

图6是表示第2实施方式涉及的保护件用环的立体图。

图7是表示第2实施方式涉及的对接面的截面图，图7A是第1环体的对接面，图7B是第2环体的对接面。

图8是表示第2实施方式的变形例的截面图，图8A是变形例(1)，图8B是变形例(2)。