[发明专利]保护件用环在审
| 申请号： | 201880045111.0 | 申请日： | 2018-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN110892510A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 碇敦;藤井智 | 申请（专利权）人： | 日本新工芯技株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;王潇悦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 保护 件用环 | ||
1.一种保护件用环，是在用于对基板进行等离子体处理的基板处理装置的收纳所述基板的处理室内设置的保护件用环，其特征在于，
具备3个以上硅构件、以及将所述硅构件彼此接合的接合部，
所述接合部含有氧化硼。
2.根据权利要求1所述的保护件用环，其特征在于，
所述硅构件包含2个以上圆弧状硅构件、以及在横跨所述圆弧状硅构件彼此的位置被嵌入的嵌入式硅构件，
在所述圆弧状硅构件与所述嵌入式硅构件之间，设有将所述圆弧状硅构件与所述嵌入式硅构件接合的所述接合部。
3.一种保护件用环，是在用于对基板进行等离子体处理的基板处理装置的收纳所述基板的处理室内设置的保护件用环，其特征在于，
具备3个以上硅构件、以及将所述硅构件彼此接合的接合部，
所述接合部是含有Al、Ga、Ge和Sn中的任一者的与硅的共晶合金，
所述硅构件包含2个以上圆弧状硅构件、以及在横跨所述圆弧状硅构件彼此的位置被嵌入的嵌入式硅构件，
在所述圆弧状硅构件与所述嵌入式硅构件之间，设有将所述圆弧状硅构件与所述嵌入式硅构件接合的所述接合部。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的保护件用环，其特征在于，
设有将所述硅构件彼此之间堵塞的硅粘接部。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的保护件用环，其特征在于，
内径为320mm以上，外径为800mm以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的保护件用环，其特征在于，
所述硅构件由单晶硅或多晶硅构成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
