[发明专利]肖特基势垒二极管

说明书

提供一种包括Ga₂O₃系半导体的肖特基势垒二极管，其具有比以往的肖特基势垒二极管低的开启电压。作为一个实施方式，提供肖特基势垒二极管(1)，其具备：半导体层(10)，其包括Ga₂O₃系单晶；阳极电极(11)，其与导体层(10)形成肖特基接合，并且与半导体层(10)接触的部分包括Mo或者W；以及阴极电极(12)，肖特基势垒二极管(1)的开启电压为0.3V以上且0.5V以下。

技术领域

本发明涉及肖特基势垒二极管。

背景技术

以往，已知有包括Pt的肖特基电极连接到Ga₂O₃单晶的肖特基势垒二极管(例如，参照非专利文献1)。非专利文献1所记载的肖特基势垒二极管的开启电压(正向电压)为1.23V。

另外，以往已知有具有Ni/Au层叠结构的肖特基电极连接到Ga₂O₃单晶上的肖特基势垒二极管(例如，参照非专利文献2)。

另外，以往已知具有包含从Au、Pd、Pt、Ni、Mo、W、Ta、Nb、Cr、Ag、In、以及Al的组选出的其中1者的肖特基电极的肖特基二极管(例如，参照专利文献1)。

另外，已知在半导体层中使用了Si的沟槽MOS型肖特基势垒二极管和在半导体层中使用了SiC的沟槽MOS型肖特基势垒二极管(例如，非专利文献3、4)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特许第5874946号公报

非专利文献

非专利文献1：Kohei Sasaki et al.,“Ga2O3 Schottky Barrier DiodesFabricated by Using Single-Crystalβ-Ga2O3(010)Substrates”,IEEE ElectronDevice Letters,April 2013,Vol.34,No.4,pp.493-495.

非专利文献2：Toshiyuki Oishi et al.,“Conduction mechanism in highlydopedβ-Ga2O3(-201)single crystals grown by edge-defined film-fed growthmethod and their Schottky barrier diodes”,Japanese Journal of AppliedPhysics,2016,55,030305.

非专利文献3：T.Shimizu et al.,Proceedings of 2001InternationalSymposium on Power Semiconductor Devices&ICs,Osaka,pp.243-246(2001).

非专利文献4：V.Khemka,et al.,IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,VOL.21,NO.5,MAY 2000,pp.286-288

发明内容

发明要解决的问题

一般，肖特基势垒二极管需要根据其用途来变更开启电压。因此，对于具有Ga₂O₃系的半导体层的肖特基势垒二极管，也要求其具有与以往不同的范围的开启电压，特别是要求其具有能够将正向损耗抑制得低的低的开启电压。