[发明专利]肖特基势垒二极管在审
| 申请号： | 201880044999.6 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN110832644A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木公平;胁本大树;小石川结树;韶光秀 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/24;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种肖特基势垒二极管，其特征在于，具备：
半导体层，其包括Ga2O3系单晶；
阳极电极，其与上述半导体层形成肖特基接合，并且与上述半导体层接触的部分包括Mo或者W；以及
阴极电极，
开启电压为0.3V以上且0.5V以下。
2.一种肖特基势垒二极管，其特征在于，具备：
第1半导体层，其包括Ga2O3系单晶，具有在其一个面上开口的沟槽；
第2半导体层，其层叠于上述第1半导体层的上述沟槽未开口的面，包括Ga2O3系单晶；
绝缘膜，其覆盖上述沟槽的内表面；
沟槽MOS势垒，其以被上述绝缘膜覆盖的方式埋入在上述沟槽内；
阳极电极，其与上述沟槽MOS势垒接触，与上述第1半导体层形成肖特基接合，并且与上述第1半导体层接触的部分包括Mo或者W；以及
阴极电极，其连接到上述第2半导体层。
3.根据权利要求2所述的肖特基势垒二极管，
开启电压为0.4V以上且0.6V以下。
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