[发明专利]清除方法、显露装置、光刻设备和器件制造方法在审
| 申请号: | 201880044464.9 | 申请日: | 2018-05-28 |
| 公开(公告)号: | CN110832402A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
| 发明(设计)人: | A·B·珍宁科;V·沃罗尼纳;T·朱兹海妮娜;B·彼得森;J·A·C·M·皮耶宁堡 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00;H01L23/544 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 闫红 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 清除 方法 显露 装置 光刻 设备 器件 制造 | ||
本发明涉及一种用于显露由层覆盖的衬底上的传感器目标的方法,所述方法包括以下步骤:确定所述衬底上的具有良率目标部分的第一区域的部位和所述衬底上的具有非良率目标部分的第二区域的部位;至少部分去除覆盖所述第二区域中的特征的所述层的特征区以显露出所述第二区域中的特征;测量所述第二区域中的被显露出的传感器特征的部位;基于所述第二区域中的被显露出的传感器特征的被测量的部位确定所述第一区域中的传感器目标的部位;和使用所述第一区域中的传感器目标的被确定的部位至少部分去除覆盖所述第一区域中的所述传感器目标的所述层的传感器目标区。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年7月5日提交的欧洲申请17179804.4的优先权,该欧洲申请通过引用全文并入本文。
技术领域
本发明涉及一种用于显露衬底上的传感器目标的方法,一种相对应的显露装置,一种包括这种显露装置的光刻设备,和一种器件制造方法。
背景技术
光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底(通常是在衬底的目标部分)上的机器。光刻设备可以例如用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下,可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成要形成在IC的单层上的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或更多个管芯)上。典型地,通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转印。通常,单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。常规的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描器,在步进器中,通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐照每个目标部分;在扫描器中,通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描图案,同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描衬底来辐照每个目标部分。也有可能通过将图案压印到衬底上而将图案从图案形成装置转印到衬底上。
在光刻设备中,传感器通常被设置用于测量衬底的位置、方向和/或变形,从而准确地将图案转印到衬底上的目标部分。典型地,这些传感器使用设置在衬底上的传感器目标,但是当这些传感器目标被具有对传感器不利的属性的层覆盖时,例如所述层对于在可见波长范围内工作的基于光学的传感器是不透明的,测量受到负面影响,例如接收到太低的信号。
当前,通过使用附加的光刻处理步骤和蚀刻处理步骤清除或去除覆盖传感器目标的不透明层的一部分来显露这些传感器目标。这些附加的处理步骤花费大量时间,并且会消耗大量机器容量,并可能导致良率损失。
发明内容
期望提供一种显露出被不透明层覆盖的传感器目标的改良的过程,所述改良的过程是快速的且优选地不会导致良率损失。
根据本发明的实施例,提供了一种用于显露由层覆盖的衬底上的传感器目标的方法,所述方法包括以下步骤:
a)确定所述衬底上的具有良率目标部分的第一区域的部位和所述衬底上的具有非良率目标部分的第二区域的部位;
b)至少部分去除覆盖所述第二区域中的特征的所述层的特征区以显露出所述第二区域中的特征;
c)测量所述第二区域中的被显露出的特征的部位;
d)基于所述第二区域中的被显露出的特征的被测量的部位确定所述第一区域中的传感器目标的部位;和
e)使用所述第一区域中的传感器目标的被确定的部位去除覆盖所述第一区域中的所述传感器目标的所述层的传感器目标区。
在实施例中,在步骤b)中,显露出实质上间隔开的至少两个特征。
在实施例中,通过激光烧蚀来执行去除所述层的特征区和/或传感器目标区的步骤。
在实施例中,所述方法还包括至少填充被去除的传感器目标区的步骤。
在实施例中,在步骤a)中,非良率目标部分至少是在所述衬底的边缘处的不完整的目标部分。
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