[发明专利]清除方法、显露装置、光刻设备和器件制造方法在审
| 申请号: | 201880044464.9 | 申请日: | 2018-05-28 |
| 公开(公告)号: | CN110832402A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
| 发明(设计)人: | A·B·珍宁科;V·沃罗尼纳;T·朱兹海妮娜;B·彼得森;J·A·C·M·皮耶宁堡 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00;H01L23/544 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 闫红 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 清除 方法 显露 装置 光刻 设备 器件 制造 | ||
1.一种用于显露由层覆盖的衬底上的传感器目标的方法,所述方法包括以下步骤:
a)确定所述衬底上的具有良率目标部分的第一区域的部位和所述衬底上的具有非良率目标部分的第二区域的部位;
b)至少部分去除覆盖所述第二区域中的特征的所述层的特征区以显露出所述第二区域中的特征;
c)测量所述第二区域中的被显露出的特征的部位;
d)基于所述第二区域中的被显露出的特征的被测量的部位确定所述第一区域中的传感器目标的部位;和
e)使用所述第一区域中的传感器目标的被确定的部位至少部分去除覆盖所述第一区域中的所述传感器目标的所述层的传感器目标区。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,在步骤b)中,显露出实质上间隔开的至少两个特征。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,通过激光烧蚀来执行去除所述层的所述特征区和/或传感器目标区的步骤。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法,还包括至少填充被去除的传感器目标区的步骤。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法,其中,在步骤a)中,非良率目标部分至少是在所述衬底的边缘处的不完整的目标部分。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法,其中,所述特征区的面积大于所述传感器目标区的面积。
7.一种显露装置,所述显露装置被配置成显露出由层覆盖的衬底上的传感器目标,包括:
-层去除装置;
-特征部位确定装置;和
-控制单元,
其中所述控制单元被配置成接收和/储存关于如下的信息:所述衬底上的具有良率目标部分的第一区域和所述衬底上的具有非良率目标部分的第二区域;
其中所述控制单元还被配置成:
-控制所述层去除装置以至少部分去除覆盖所述第二区域中的特征的所述层的特征区以显露出所述第二区域中的特征;
-控制所述特征部位确定装置以测量所述第二区域中的被显露出的特征的部位;
-基于所述第二区域中的特征的被测量的部位确定所述第一区域中的传感器目标的部位;和
-控制所述层去除装置以使用所述第一区域中的传感器目标的被确定的部位去除覆盖所述第一区域中的所述传感器目标的所述层的传感器目标区。
8.根据权利要求7所述的显露装置,其中,所述层去除装置是激光器。
9.根据权利要求7或8所述的显露装置,其中,所述特征部位确定装置是照相机。
10.根据权利要求7-9中任一项所述的显露装置,其中,所述特征区的面积大于所述传感器目标区的面积。
11.根据权利要求7-10中任一项所述的显露装置,其中,所述特征部位确定装置还配置成检查由所述层去除装置进行的层去除的结果。
12.根据权利要求7-11中任一项所述的显露装置,还包括填充装置以用另外的材料至少填充被去除的传感器目标区。
13.一种光刻设备,包括根据权利要求8至12中任一项所述的显露装置。
14.根据权利要求13所述的光刻设备,其中,所述显露装置附接至所述光刻设备的框架。
15.一种器件制造方法,其中使用根据权利要求7-12中任一项所述的显露装置和/或根据权利要求13或14所述的光刻设备。
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