[发明专利]等离子体处理装置

说明书

等离子体处理装置包括：具有第一输入端子、第二输入端子、第一输出端子和第二输出端子的巴伦；真空容器；与真空容器绝缘并且被电连接至第一输出端子的第一电极；以及与真空容器绝缘并且被电连接至第二输出端子的第二电极。第二电极被布置为围绕第一电极的整个周边。

技术领域

本发明涉及等离子体处理装置。

背景技术

提供有通过在两个电极之间施加高频来产生等离子体并通过等离子体来处理基板的等离子体处理装置。如此的等离子体处理装置可以通过两个电极的面积比和/或偏压来作为蚀刻装置或溅射装置操作。被配置作为溅射装置的等离子体处理装置包括保持标靶的第一电极以及保持基板的第二电极。在第一电极与第二电极之间施加高频，并且在第一电极与第二电极之间(在标靶与基板之间)产生等离子体。当等离子体被产生时，在标靶的表面产生自偏置电压。这导致离子与标靶碰撞，并且构成标靶的材料的粒子会从标靶放出。

专利文献1描述了包括平衡/不平衡转换器的等离子体表面处理装置。该等离子体表面处理装置包括：高频电源、功率放大器、阻抗匹配设备、同轴电缆、真空容器、放电气体混合箱、非接地电极、接地电极以及变压器型平衡/不平衡转换器。放电气体混合箱、非接地电极、接地电极和变压器型平衡/不平衡转换器被布置在真空容器中。非接地电极经由绝缘物支撑材料和放电气体混合箱安装在真空容器中。接地电极支撑基板。此外，接地电极被电连接至真空容器。经由功率放大器、阻抗匹配设备、同轴电缆和变压器型平衡/不平衡转换器在非接地电极与接地电极之间供给高频电源的输出。根据专利文献1，经由被连接至接地电极的真空容器的构件流动的同相电流Ix被变压器型平衡/不平衡转换器阻塞。

在专利文献1中描述的等离子体表面处理装置中，接地电极与真空容器电连接，因此除了接地电极以外，真空容器还可用作阳极。自偏置电压可以取决于可用作阴极的部分的状态和可用作阳极的部分的状态而变化。因此，如果除了基板保持电极以外，真空容器还用作阳极，那么自偏置电压可以取决于真空容器的用作阳极的部分的状态而变化。自偏置电压的变化改变等离子体电位，并且等离子体电位的变化可以影响基板的处理，例如影响要被形成的膜的特性。

若使用溅射装置在基板上形成膜，则在真空容器的内表面上也形成膜。这可以改变真空容器的可用作阳极的部分的状态。因此，若继续使用溅射装置，则自偏置电压取决于被形成在真空容器的内表面上的膜而变化，并且等离子体电位也会变化。因此，如果长期使用溅射装置，那么以往难以将被形成在基板上的膜的特性维持于一定。

类似地，如果长期使用蚀刻装置，那么自偏置电压取决于被形成在真空容器的内表面上的膜而变化，并且这可改变等离子体电位。因此，难以将基板的蚀刻特性维持于一定。

先前技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-302566号公报

发明内容

本发明是基于对上述问题的认识而做出的，并提供了一种有利于在长期使用中使等离子体电位稳定的技术。

根据本发明的一个方面，提供了一种等离子体处理装置，其包括：巴伦(balun)，包括第一输入端子、第二输入端子、第一输出端子和第二输出端子；真空容器；第一电极，与真空容器绝缘并且被电连接至第一输出端子；以及第二电极，与真空容器绝缘并且被电连接至第二输出端子，其中第二电极被布置为围绕第一电极的整个周边。

附图说明

图1示意性地示出根据本发明的第一实施例的等离子体处理装置的布置的电路图。

图2A示出巴伦的布置的示例的电路图。

图2B示出巴伦的布置的另一示例的电路图。

图3示意性地示出根据本发明的第二实施例的等离子体处理装置的布置的电路图。

具体实施方式