[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

巴伦，包括经由阻抗匹配电路被供给高频的第一输入端子、被接地的第二输入端子、第一输出端子、第二输出端子、连接所述第一输入端子和所述第一输出端子的第一线圈以及连接所述第二输入端子与所述第二输出端子的第二线圈；

真空容器；

第一电极，与所述真空容器绝缘并且被电连接至所述第一输出端子；以及

第二电极，与所述真空容器绝缘并且被电连接至所述第二输出端子，

其中所述第二电极具有筒形状并且被布置为围绕所述第一电极的整个周边，所述第一电极和所述第二电极被布置为形成同轴结构，

其中所述第一输出端子与所述第一电极经由阻塞电容器彼此电连接，以及

其中所述第一电极未被接地，所述第二输出端子与所述第二电极不经由电容器而彼此电连接。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一电极被配置为保持作为基板或标靶的构件，并且具有筒形状的所述第二电极的内径大于所述构件。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一电极具有圆柱形状，所述圆柱形状具有被配置为保持所述构件的表面。

4.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

巴伦，包括被供给高频的第一输入端子、被接地的第二输入端子、第一输出端子和第二输出端子；

真空容器；

第一电极，与所述真空容器绝缘并且被电连接至所述第一输出端子；以及

第二电极，与所述真空容器绝缘并且被电连接至所述第二输出端子，

其中所述第二电极具有筒形状并且被布置为围绕所述第一电极的整个周边，所述第一电极和所述第二电极被布置为形成同轴结构，

其中所述第一输出端子与所述第一电极经由阻塞电容器彼此电连接，

其中所述第二输出端子与所述第二电极不经由电容器而彼此电连接，所述第二电极经由第二输入端子被接地的所述巴伦而被接地，

所述第一电极与所述第二电极之间的距离不长于德拜长度。

5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述真空容器包括被接地的部分。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一电极用作阴极，并且所述第二电极用作阳极。

7.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

巴伦，包括被供给高频的第一输入端子、被接地的第二输入端子、第一输出端子和第二输出端子；

真空容器；

第一电极，与所述真空容器绝缘并且被电连接至所述第一输出端子；以及

第二电极，与所述真空容器绝缘并且被电连接至所述第二输出端子，

其中所述第二电极具有筒形状并且被布置为围绕所述第一电极的整个周边，所述第一电极和所述第二电极被布置为形成同轴结构，

其中所述第一输出端子与所述第一电极经由阻塞电容器彼此电连接，

其中所述第二输出端子与所述第二电极不经由电容器而彼此电连接，所述第二电极经由第二输入端子被接地的所述巴伦而被接地，

所述第一电极与所述第二电极之间的阻抗低于所述第一电极与所述真空容器之间的阻抗。

8.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，在所述构件的表面产生自偏置电压。

9.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一电极保持基板，并且所述等离子体处理装置被配置作为蚀刻装置，所述蚀刻装置被配置为蚀刻由所述第一电极保持的基板。

10.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括被配置为保持基板的基板保持部，

其中所述第一电极和所述第二电极被布置为面对由所述基板保持部保持的所述基板的侧的空间，

所述第一电极保持标靶，以及

其中所述等离子体处理装置被配置作为溅射装置，所述溅射装置被配置为通过溅射所述标靶而在所述基板上形成膜。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：

高频电源；以及

阻抗匹配电路，被布置在所述高频电源与所述巴伦之间。