[发明专利]用于裸片键合用途的可固化硅酮组合物在审
申请号: | 201880041011.0 | 申请日: | 2018-06-19 |
公开(公告)号: | CN110832627A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 山崎亮介;山本真一 | 申请(专利权)人: | 道康宁东丽株式会社 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;C08K3/36;C08K5/05;C08L83/05;C08L83/07 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 徐舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 裸片键合 用途 固化 硅酮 组合 | ||
1.一种用于裸片键合用途的可固化硅酮组合物,所述可固化硅酮组合物至少包含:(A)100质量份每个分子具有至少2个烯基的有机聚硅氧烷,
(B)每个分子具有至少2个硅氧烷单元的有机聚硅氧烷,所述硅氧烷单元由式RHSiO(在所述式中,R是不具有脂肪族不饱和键的一价C1-12烃基)表示{所述有机聚硅氧烷的量使得此组分中的硅原子键合氢原子相对于组分(A)中的所述烯基的摩尔比为0.1-10},
(C)铂族金属硅氢加成反应催化剂,其量使得此组分中铂族金属的以质量单位的量相对于组分(A)和(B)的总量为10ppm,
(D)每100质量份组分(A)和(B)的总量的0.001-5质量份硅氢加成反应抑制剂,以及
(E)每100质量份组分(A)和(B)的总量的0.01-10质量份粘合性赋予剂,
其中在JIS K 6300-2中指定的裸片键合温度下焦烧时间(ts1)为20-60秒,并且相对于至600秒的硫化时间的最大扭矩值,90%硫化时间[tc(90)]为300-500秒。
2.如权利要求1所述的用于裸片键合用途的可固化硅酮组合物,其中组分(A)包含有机聚硅氧烷树脂,所述有机聚硅氧烷树脂至少包含由式R13SiO1/2(在所述式中,R1是不具有脂肪族不饱和键的相同或不同的一价C1-12烃基)表示的硅氧烷单元,由式R12R2SiO1/2(在所述式中,R1是如上文所述,并且R2是C2-12烯基)表示的硅氧烷单元,以及由式SiO4/2表示的硅氧烷单元,其中由式R13SiO1/2表示的硅氧烷单元和由式R12R2SiO1/2表示的硅氧烷单元的总量相对于由式SiO4/2表示的硅氧烷单元的摩尔比为0.5-1.6。
3.如权利要求1所述的用于裸片键合用途的可固化硅酮组合物,其中组分(B)是有机聚硅氧烷树脂,所述有机聚硅氧烷树脂至少包含由式R43SiO1/2(在所述式中,R4是不具有脂肪族不饱和键的相同或不同的一价C1-12烃基)表示的硅氧烷单元,由式R4HSiO2/2(在所述式中,R4是如上文所述)表示的硅氧烷单元,以及由式SiO4/2表示的硅氧烷单元,其中相对于由式SiO4/2表示的硅氧烷单元,由式R43SiO1/2表示的硅氧烷单元的摩尔比为0.6-1.5并且由式R4HSiO2/2表示的硅氧烷单元的摩尔比为1.5-3。
4.如权利要求1所述的用于裸片键合用途的可固化硅酮组合物,其中组分(B)是有机聚硅氧烷,所述有机聚硅氧烷至少包含由式R43SiO1/2(在所述式中,R4是不具有脂肪族不饱和键的相同或不同的一价C1-12烃基)表示的硅氧烷单元以及由式R4HSiO2/2(在所述式中,R4是如上文所述)表示的硅氧烷单元,并且不具有由式SiO4/2表示的硅氧烷单元。
5.如权利要求1所述的用于裸片键合用途的可固化硅酮组合物,其中组分(D)是炔醇和/或甲硅烷基化的炔醇。
6.如权利要求1所述的用于裸片键合用途的可固化硅酮组合物,其中组分(E)是反应混合物,所述反应混合物包含含有环氧基的烷氧基硅烷以及具有硅醇基封端的两个分子链末端的含有烯基的二有机硅氧烷低聚物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造