[发明专利]等离子处理装置在审
| 申请号： | 201880040149.9 | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110914951A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 安德鲁·西蒙·霍尔·布鲁克斯;加雷思·亨尼根;吉安弗兰可·阿拉斯塔;希奥布翰·玛丽·伍拉德;理查德·安东尼·莱昂纳;沙林达·维克拉姆·辛格 | 申请（专利权）人： | 赛姆布兰特有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 装置 | ||
1.一种等离子体处理装置，用于使用等离子体处理衬底，包括：
在其中进行处理的处理室；
用于向所述处理室提供等离子体的等离子体源；
在所述处理室中用于保持所述衬底的衬底底座，该衬底底座包括具有多个孔的表面。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述孔的宽度基本上对应于在所述衬底底座上形成的等离子体鞘层的厚度的两倍。
3.根据前述权利要求中任一项所述的等离子体处理装置，其中，所述孔具有至多15mm的宽度。
4.根据前述权利要求中任一项所述的等离子体处理装置，其中，所述孔具有至多10mm的宽度。
5.根据前述权利要求中任一项所述的等离子体处理装置，其中，所述孔具有至少1mm的宽度。
6.根据前述权利要求中任一项所述的等离子体处理装置，其中，所述孔具有至少3mm的宽度。
7.根据前述权利要求中任一项所述的等离子体处理装置，其中，所述孔具有8mm的宽度。
8.根据前述权利要求中任一项所述的等离子体处理装置，其中，所述衬底底座中的所述孔是基本上圆形。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的等离子体处理装置，其中，所述衬底底座中的所述孔是基本上正方形。
10.根据前述权利要求中任一项所述的等离子体处理装置，其中，所述孔基本上均匀地分布在所述衬底底座的表面上。
11.根据前述权利要求中任一项所述的等离子体处理装置，其中，所述衬底底座的表面是基本上片状的。
12.根据前述权利要求中任一项所述的等离子体处理装置，其中，所述衬底底座是接地电极。
13.根据权利要求1至11中的任一项所述的等离子体处理装置，其中，所述衬底底座是浮动电极。
14.根据前述权利要求中任一项所述的等离子体处理装置，还包括至少一个RF电极，用于在所述处理室内提供电场。
15.根据权利要求14所述的等离子体处理装置，其中，所述RF电极包括多个孔。
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